[发明专利]一种基于铁氧体的薄膜微波耦合片负载

权利要求书

1.一种基于铁氧体的薄膜微波耦合片负载，其特征在于：包括铁氧体基材，所述铁氧体基材具有第一端部和第二端部，所述铁氧体基材的正面具有输入端口、输出端口、耦合端口、耦合端电阻、第一导线以及第二导线，所述输入端口和输出端口分别设置在所述第一端部的两侧，所述输入端口与所述输出端口之间连接有第一导线，所述耦合端口设置于所述第二端部，并且与所述输入端口位于同一侧，所述耦合端电阻位于所述第二端部的另一侧；所述耦合端口与所述耦合端电阻一端之间连接有第二导线，所述耦合端电阻另一端接地。

2.根据权利要求1所述的基于铁氧体的薄膜微波耦合片负载，其特征在于：所述第一导线沿着所述铁氧体基材的宽度方向依次具有第一段、中间段与第二段，其中第一段与第二段对称设置在中间段两侧，并且所述中间段的宽度小于所述第一段或第二段的宽度；所述第二导线在耦合端口与耦合端电阻之间呈“S”状延伸。

3.根据权利要求1或2所述的基于铁氧体的薄膜微波耦合片负载，其特征在于：所述耦合端电阻与所述第二端部的边缘之间还具有接地线，所述耦合端电阻另一端通过所述接地线接地。

4.根据权利要求3所述的基于铁氧体的薄膜微波耦合片负载，其特征在于：所述铁氧体基材背面形成金属化，所述第二端部的边缘具有金属化通孔，所述接地线通过所述金属化通孔与所述背面导通。

5.根据权利要求3所述的基于铁氧体的薄膜微波耦合片负载，其特征在于：所述输入端口、输出端口、耦合端口、耦合端电阻、第一导线、第二导线以及接地线均通过真空溅射工艺形成，再通过覆胶、光刻、电镀、去胶、刻蚀工艺得到相应的图案。

6.根据权利要求4所述的基于铁氧体的薄膜微波耦合片负载，其特征在于：所述背面的金属化和所述金属化通孔均通过真空溅射形成。

7.根据权利要求1所述的基于铁氧体的薄膜微波耦合片负载，其特征在于：所述耦合端电阻通过激光调阻，调阻后所述耦合端电阻阻抗为50±1Ω。

8.根据权利要求1所述的基于铁氧体的薄膜微波耦合片负载，其特征在于：所述铁氧体基材在真空溅射前先进行抛光。

9.根据权利要求4或6所述的基于铁氧体的薄膜微波耦合片负载，其特征在于：所述金属化通孔先通过激光打孔及清洗工艺，再进行真空溅射形成。

10.一种制造根据权利要求1-9任一项所述的基于铁氧体的薄膜微波耦合片负载的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：

提供铁氧体基材，对所述铁氧体基材进行抛光；

在所述铁氧体基材背面通过真空溅射并形成金属化，在所述铁氧体基材正面通过真空溅射并形成各层金属层；

在铁氧体基材正面依次通过覆胶、光刻、电镀、去胶、刻蚀工艺得到输入端口、输出端口、耦合端口、耦合端电阻、第一导线、第二导线和接地线；

在所述第二端部的边缘激光打孔并清洗，再通过真空溅射形成金属化通孔；

所述接地线通过所述金属化通孔与所述铁氧体基材的背面导通，联通整个电路。