[发明专利]一种电流源的一次性修调校准结构在审
| 申请号： | 202111171772.8 | 申请日： | 2021-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN113867463A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 胡波;邵赐颖 | 申请（专利权）人： | 深圳市乾鸿微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区沙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电流 一次性 调校 结构 | ||
1.一种电流源的一次性修调校准结构，其特征在于：包括一次性可编程熔丝地址阵列和类DAC电流源；
所述一次性可编程熔丝地址阵列由多个可编程熔丝单元组成，每一个可编程熔丝单元对应一个可编程类DAC电流源地址位；所述可编程熔丝单元包括逻辑晶体管MN1A、修调晶体管MN1B以及用电阻符号标识的熔丝Fuse1组成。
2.根据权利要求1所述的电流源的一次性修调校准结构，其特征在于：所述类DAC电流源的位数与可编程熔丝地址阵列的位数相同并一一对应，且类DAC电流源包括由NMOS晶体管MNo1～MNox与晶体管MNin组成的比例恒流源以及二选一开关阵列S1～SX；所述比例恒流源通过设置的NMOS晶体管MNo1～MNox宽长比与MNin宽长比的比例，确定每一位修调电流io1～iox与参考电流iI的比例，从而确定每一位修调电流的电流值。
3.根据权利要求2所述的电流源的一次性修调校准结构，其特征在于：所述所述二选一开关阵列的每一位开关与一次性可编程熔丝地址阵列的熔丝单元相对应，开关通路的选择通过地址位adr1～adrx的输出逻辑控制。
4.根据权利要求1所述的电流源的一次性修调校准结构，其特征在于：所述可编程类DAC电流源的总输出电流itrim为熔丝单元熔断后的每一位输出电流的求和。
5.根据权利要求1所述的电流源的一次性修调校准结构，其特征在于：逻辑控制单元通过一次性校准，熔断熔丝阵列对应地址位的熔丝单元，从而确定类DAC电流源的输出电流itrim。
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