[发明专利]一种非侵入式磁通聚集器及电流检测方法在审
申请号: | 202111171504.6 | 申请日: | 2021-10-08 |
公开(公告)号: | CN113899932A | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
发明(设计)人: | 唐欣;杨豪杰;谭文锴;柴金超;黄晟;李晓萌;潘一彬;何洋 | 申请(专利权)人: | 长沙理工大学 |
主分类号: | G01R15/20 | 分类号: | G01R15/20;G01R19/00 |
代理公司: | 长沙轩荣专利代理有限公司 43235 | 代理人: | 黄艺平 |
地址: | 410000 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 侵入 式磁通 聚集 电流 检测 方法 | ||
1.一种非侵入式磁通聚集器,其特征在于,包括:
两个软磁,两个所述软磁对称设置在TMR传感器的敏感轴两侧;
两个所述软磁之间的缝隙形成空气间隙。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述软磁为T型。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述空气间隙的值为所述软磁规格内的最小值;
所述软磁的长宽比的范围为0.75-0.85;
所述软磁的内长比和所述软磁的面积为所述软磁规格内的最大值。
4.一种电流检测方法,其特征在于,所述方法应用于权利要求1至3中任一项所述的磁通聚集器,所述方法包括:
提供一磁通聚集器和待测线路;
将所述磁通聚集器放置于待测线路对应的目标磁场中,得到电压值;
通过偏最小二乘法分别对所述磁通聚集器的结构参数和退磁因子进行建模,得到所述退磁因子与所述结构参数的关联系数;
根据所述关联系数计算所述退磁因子的数值;
根据所述退磁因子的数值和所述电压值计算所述待测线路的电流量。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述通过偏最小二乘法分别对所述磁通聚集器的结构参数和退磁因子进行建模,得到所述退磁因子与所述结构参数的关联系数的步骤,包括:
将所述结构参数建立自变量矩阵,以及,将所述退磁因子建立因变量矩阵;
将所述自变量矩阵和所述因变量矩阵进行电磁仿真操作,得到所述关联系数。
6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述根据所述退磁因子的数值和所述电压值计算所述待测线路的电流量的步骤,包括:
根据所述退磁因子的数值和所述磁通聚集器对应的相对磁导率计算放大因子;
根据所述放大因子和所述电压值,计算所述待测线路的电流量。
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