[发明专利]利用卧式热处理炉的硅晶圆的热处理方法

权利要求书

1.一种利用卧式热处理炉的硅晶圆的热处理方法，其特征在于，

准备卧式热处理炉，前述卧式热处理炉具有炉芯管和加热器，前述炉芯管具有横向的中心轴，为圆筒形状，前述加热器位于前述炉芯管的周围，将前述炉芯管加热，在前述炉芯管的一方的端部设置盖，在前述炉芯管的另一方的端部设置气体导入口，在前述炉芯管的前述盖的附近的炉壁设置有气体排气口，

将前述炉芯管的距前述盖较近的一方设为炉口侧、将前述炉芯管的距前述气体导入口较近的一方设为炉里侧时，打开前述盖，在前述炉芯管内配置晶舟，使得呈以下的A至C的状态，

A在前述晶舟上，以主面与前述炉芯管的中心轴正交的方式排列多张硅晶圆，形成晶圆组，

B在前述晶舟上的比前述晶圆组靠炉里侧的位置，与前述晶圆组离开地配置具有与前述炉芯管的中心轴平行的轴的圆柱形状的第1保温块，在比前述晶圆组靠炉口侧的位置，与前述晶圆组离开地配置具有与前述炉芯管的中心轴平行的轴的圆柱形状的第2保温块，

C分别以其主面与前述炉芯管的中心轴正交的方式，在前述晶舟上的比前述第1保温块靠炉里侧的位置配置第1伪晶圆，在前述第1保温块与前述晶圆组之间配置第2伪晶圆，在前述第2保温块与前述晶圆组之间配置第3伪晶圆，在比前述第2保温块靠炉口侧的位置配置第4伪晶圆，前述第1至第4伪晶圆的Fe的浓度不足1×10¹¹atoms/cm³，Ni及Cu的浓度分别不足5×10¹⁰atoms/cm³，

关闭前述盖，

从前述气体导入口向前述炉芯管内导入气体，从前述气体排气口排出前述气体，且借助前述加热器加热前述炉芯管，由此对前述多张硅晶圆实施热处理。

2.如权利要求1所述的利用卧式热处理炉的硅晶圆的热处理方法，其特征在于，

前述炉芯管的中心轴的方向上的前述第1保温块与前述晶圆组的距离及前述第2保温块与前述晶圆组的距离为5mm以上。

3.如权利要求1或2所述的利用卧式热处理炉的硅晶圆的热处理方法，其特征在于，

前述炉芯管的中心轴的方向上的前述第1保温块与前述第1伪晶圆的距离、前述第1保温块与前述第2伪晶圆的距离、前述第2保温块与前述第3伪晶圆的距离、及前述第2保温块与前述第4伪晶圆的距离为2mm以下。

4.如权利要求3所述的利用卧式热处理炉的硅晶圆的热处理方法，其特征在于，

前述炉芯管的中心轴的方向上的前述第1保温块与前述第1伪晶圆的距离、前述第1保温块与前述第2伪晶圆的距离、前述第2保温块与前述第3伪晶圆的距离、及前述第2保温块与前述第4伪晶圆的距离为0mm。

5.如权利要求1或2所述的利用卧式热处理炉的硅晶圆的热处理方法，其特征在于，

前述第1至第4伪晶圆为硅晶圆。

6.如权利要求1或2所述的利用卧式热处理炉的硅晶圆的热处理方法，其特征在于，

前述第1至第4伪晶圆的厚度在1至5mm的范围内。

7.如权利要求1或2所述的利用卧式热处理炉的硅晶圆的热处理方法，其特征在于，

前述第1至第4伪晶圆的直径与前述第1及第2保温块的直径相等。

8.如权利要求1或2所述的利用卧式热处理炉的硅晶圆的热处理方法，其特征在于，

前述第1及第2保温块由Fe、Ni、及Cu的某个的浓度为1×10¹¹atoms/cm³以上的硅构成。

9.如权利要求1或2所述的利用卧式热处理炉的硅晶圆的热处理方法，其特征在于，

前述第1及第2保温块的直径与前述多张硅晶圆的直径相等。

10.如权利要求1或2所述的利用卧式热处理炉的硅晶圆的热处理方法，其特征在于，

前述第1及第2保温块的沿着前述炉芯管的中心轴的宽度在40至75mm的范围内。

11.一种硅晶圆的制造方法，其特征在于，

包括权利要求1至10的任一项所述的利用卧式热处理炉的硅晶圆的热处理方法。