[发明专利]一种晶圆级芯片的加工工艺方法及晶圆结构

权利要求书

1.一种晶圆级芯片的加工工艺方法，其特征在于：包括如下步骤：

获取晶圆，所述晶圆包括相对的正面和背面，所述晶圆的正面预先嵌入有芯片，相邻芯片之间设置有划片槽；

在晶圆背面与单颗芯片对应的划片槽区域上形成凸出的图形结构，所述图形结构包括晶圆外围边缘的环形结构和与单颗芯片对应的支撑结构；

将所得凸出图形结构进行电镀形成金属层，至此再将整个腐蚀减薄后的芯片背面填充树脂进行晶圆级塑封，以便在金属层外部形成塑封层；

研磨塑封后的晶圆，并研磨至指定的晶圆厚度；研磨至指定厚度后，采用划片工艺将晶圆切割成单颗的芯片，再进行后续的封装。

2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片的加工工艺方法，其特征在于：在晶圆背面与单颗芯片对应的划片槽区域上形成凸出的图形结构，包括：

在晶圆正面涂键合胶，将键合支撑片贴合在晶圆正面；在晶圆背面形成掩膜层，并在掩膜层上光刻形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层至少覆盖晶圆外围边缘的环形部分以及每颗芯片对应的划片槽区域；

进行第一刻蚀，去除掩膜层中未被光刻胶层覆盖的部分，将光刻胶层上的图形传递到掩膜层上，然后去除光刻胶层；

进行第二刻蚀，去除晶圆背面的部分区域，将掩膜层上的图形传递到晶圆背面，在晶圆背面得到凸出的图形结构，然后去除掩膜层。

3.根据权利要求1所述的晶圆级芯片的加工工艺方法，其特征在于：在晶圆背面与单颗芯片对应的划片槽区域上形成凸出的图形结构，包括：

在所述晶圆背面形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层至少覆盖晶圆外围边缘的环形部分以及每颗芯片对应的划片槽区域；

进行第三刻蚀，在晶圆背面得到凸出的图形结构。

4.根据权利要求1所述的晶圆级芯片的加工工艺方法，其特征在于：所述单颗芯片的支撑结构围成的区域的纵截面呈等腰梯形，且远离芯片一侧的横截面直径大于靠近芯片一侧的横截面直径。

5.根据权利要求2所述的晶圆级芯片的加工工艺方法，其特征在于：所述掩膜层采用化学气相沉积法和TEOS材料在晶圆背面形成。

6.根据权利要求2所述的晶圆级芯片的加工工艺方法，其特征在于：所述第一刻蚀为采用HF的湿法腐蚀。

7.根据权利要求2所述的晶圆级芯片的加工工艺方法，其特征在于：所述第二刻蚀为采用TMAH的湿法腐蚀。

8.根据权利要求1所述的晶圆级芯片的加工工艺方法，其特征在于：在晶圆背面与单颗芯片对应的划片槽区域上形成凸出的图形结构之前，先采用研磨或湿法腐蚀的方法将该晶圆背面减薄。

9.一种采用权利要求1至8任意一项所述晶圆级芯片的加工工艺方法制备的晶圆结构，其特征在于：包括有晶圆，在所述晶圆的正面预先嵌入有芯片，相邻芯片之间设置有划片槽，在晶圆背面与单颗芯片对应的划片槽区域上形成有凸出的图形结构，所述图形结构包括晶圆外围边缘的环形结构和与单颗芯片对应的支撑结构，所述单颗芯片的支撑结构围成的区域的纵截面呈梯形，且远离芯片一侧的横截面直径大于靠近芯片一侧的横截面直径。