[发明专利]一种金属-氧化物纳米薄膜材料及其制备方法

权利要求书

1.一种金属-氧化物纳米薄膜材料，其特征在于，包括硅基片，硅基片上设置有多条的金属靶纹和氧化物纹，所述金属靶纹和条状的所述氧化物纹两者间隔设置；所述金属条纹为采用软磁合金靶制成；所述氧化物纹为SiO₂制成。

2.根据权利要求1所述的金属-氧化物纳米薄膜材料，其特征在于，所述硅基片选用高电阻率（大于1000 Ω·cm）硅片。

3.根据权利要求1所述的金属-氧化物纳米薄膜材料，其特征在于，所述SiO₂的合成选用氧化炉，采用湿氧氧化的方法制成。

4.根据权利要求1所述的金属-氧化物纳米薄膜材料，其特征在于，所述金属靶纹和氧化物纹的图形化条纹通过紫外光刻和剥离工艺实现。

5.一种金属-氧化物纳米薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

对硅基片进行氧化，硅基片上获取氧化物纹；

对具有氧化物纹的硅基片进行旋涂光刻胶处理，使得氧化物纹上设置有光刻胶层；

对制得的具有光刻胶层的硅基片进行UV曝光处理，在曝光处理过程中在光刻胶层陈列设置多条掩膜版，相邻掩膜版之间设置间隙；

对经过UV曝光处理后的硅基片进行显影处理，将未进行遮挡的光刻胶层进行去除；

对经过显影处理后的硅基片进行氧化物刻蚀处理，将不具有光刻胶层位置上氧化物去除；

对经过氧化物刻蚀处理后的硅基片进行制备金属薄膜处理，采用电场辅助沉积技术处理，在硅基片上制得由FeCoB组成的金属条纹；

对经过制备金属薄膜处理处理后的硅基片进行剥离处理，将氧化物纹上的光刻胶层和金属靶纹进行剥离，而贴置在硅基片不对其进行剥离处理。

6.根据权利要求5所述的金属-氧化物纳米薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述氧化物纹为SiO₂制成。

7.根据权利要求6所述的金属-氧化物纳米薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述硅基片选用高电阻率（大于1000 Ω·cm）硅片。