[发明专利]数据恢复方法、装置、设备及计算机程序产品在审
| 申请号: | 202111169364.9 | 申请日: | 2021-10-08 |
| 公开(公告)号: | CN113934574A | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
| 发明(设计)人: | 余云锋;吴大畏;李晓强 | 申请(专利权)人: | 深圳市硅格半导体有限公司 |
| 主分类号: | G06F11/14 | 分类号: | G06F11/14 |
| 代理公司: | 深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542 | 代理人: | 赵正琪 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 数据 恢复 方法 装置 设备 计算机 程序 产品 | ||
本发明公开了一种数据恢复方法、装置、设备及计算机程序产品,所述数据恢复方法应用于主机Host,所述Host包括内存RAM,所述RAM包括主机内存缓存区HMB,所述数据恢复方法包括:在将所述RAM的待写入数据发送至固态硬盘SSD时,将所述待写入数据备份至所述HMB,以供在所述SSD发生编程异常时,从所述HMB中读取备份数据;在确定所述待写入数据成功发送至所述SSD后,释放所述待写入数据。本发明提高了固态硬盘的稳定性。
技术领域
本发明涉及存储设备技术领域,尤其涉及一种数据恢复方法、装置、设备及计算机程序产品。
背景技术
随着科技的迅速发展,人们对存储设备的要求越来越高。而由于固态硬盘较高的读写性能,固态硬盘的应用越来越广泛。目前,PCIE SSD相比SATA SSD而言,PCIE SSD的性能更高,然而,由于PCIE SSD价格昂贵,其应用范围并不广。为解决该问题,去除PCIE SSD中的DRAM芯片,从而降低成本,即得到DRAM LESS的PCIE SSD。然而,DRAM LESS的PCIE SSD因为没有足够的RAM空间使用传统的方案进行编程异常处理,导致DRAM LESS的PCIE SSD不稳定。因此,如何对DRAM LESS的PCIE SSD进行编程异常处理,以提高固态硬盘的稳定性,是目前亟需解决的问题。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种数据恢复方法、装置、设备及计算机程序产品,旨在对DRAM LESS的PCIE SSD进行编程异常处理,从而提高固态硬盘的稳定性。
为实现上述目的,本发明提供一种数据恢复方法,应用于主机Host,所述Host包括内存RAM,所述RAM包括主机内存缓存区HMB,所述数据恢复方法包括以下步骤:
在将所述RAM的待写入数据发送至固态硬盘SSD时,将所述待写入数据备份至所述HMB,以供在所述SSD发生编程异常时,从所述HMB中读取备份数据;
在确定所述待写入数据成功发送至所述SSD后,释放所述待写入数据。
可选地,所述HMB包括备份缓冲区,所述将所述待写入数据备份至所述HMB的步骤包括:
将所述待写入数据备份至所述备份缓冲区,以供在所述SSD发生编程异常时,从所述备份缓冲区中读取备份数据。
可选地,所述在将所述RAM的待写入数据发送至固态硬盘SSD时,将所述待写入数据备份至所述HMB的步骤之前,还包括:
获取所述Host需要写入所述SSD的待写入数据;
将所述待写入数据写入所述RAM。
为实现上述目的,本发明还提供一种数据恢复方法,应用于固态硬盘SSD,所述数据恢复方法包括以下步骤:
在所述SSD发生编程异常时,从主机Host的主机内存缓存区HMB中读取备份数据;
将所述备份数据写入所述SSD,以进行数据恢复。
可选地,所述HMB包括备份缓冲区,所述从主机Host的主机内存缓存区HMB中读取备份数据的步骤包括:
从主机Host的所述备份缓冲区中读取备份数据。
可选地,所述在所述SSD发生编程异常时,从主机Host的主机内存缓存区HMB中读取备份数据的步骤之前,还包括:
在接收到所述Host的RAM中的待写入数据后,检测所述SSD是否发生编程异常;
若所述SSD发生编程异常,则进入在所述SSD发生编程异常时,从主机Host的主机内存缓存区HMB中读取备份数据的步骤,以对所述待写入数据进行数据恢复。
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