[发明专利]射频开关器件及其制造方法

权利要求书

1.一种射频开关器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，该衬底掺杂有第一掺杂浓度水平的第一导电类型的杂质；

从衬底的上表面垂直延伸并与衬底相连形成的至少一个台面，该台面包括漂移区，该漂移区掺杂有第二掺杂浓度水平的第一导电类型的杂质，第二掺杂浓度水平小于第一掺杂浓度水平，台面形成射频开关器件中的主要电流传导路径；

绝缘层设置于衬底的至少部分上表面及台面的侧壁上；且，至少一个栅极设置在绝缘层的上表面的至少一部分上，栅极至少部分地围绕台面。

2.根据权利要求1所述的射频开关器件，其特征在于，还包括形成在所述栅极的上表面和所述台面的上表面中的掺杂区，所述掺杂区提供与各自下方的栅极和台面的电互连。

3.根据权利要求2所述的射频开关器件，其特征在于，还包括形成在所述掺杂区的至少一部分上表面上的电触点，所述电触点彼此横向间隔开。

4.根据权利要求3所述的射频开关器件，其特征在于，还包括形成在所述掺杂区的上表面的氧化层，所述氧化层将所述电触点彼此电隔离。

5.根据权利要求1所述的射频开关器件，其特征在于，所述台面包括形成在所述衬底上表面的外延层。

6.根据权利要求1所述的射频开关器件，其特征在于，所述台面包括使用外延生长工艺和沉积工艺中的至少一种形成的低电阻率单晶硅。

7.根据权利要求1所述的射频开关器件，其特征在于，还包括：形成于衬底的底面上并与衬底电连接的第一端子；且，

形成于台面的上表面并与台面电连接的第二端子；

其中，第一端子和第二端子形成射频开关器件的输入/输出端口，当该射频开关器件开启时，电流将流过该输入/输出端口。

8.根据权利要求1所述的射频开关器件，其特征在于，所述至少一个栅极包括与台面同心的结构。

9.根据权利要求8所述的射频开关器件，其特征在于，所述栅极包括环绕所述台面的至少一部分的环形结构。

10.根据权利要求1所述的射频开关器件，其特征在于，所述射频开关器件被配置为具有单刀双掷功能，其中所述衬底形成所述射频开关器件的第一端口，所述至少一个台面包括第一台面和第二台面，所述第一台面和第二台面均从衬底的上表面垂直延伸并与所述衬底的上表面相连形成，所述第一台面和第二台面均包括漂移区，所述漂移区掺杂有第二掺杂浓度水平的第一导电类型的杂质，第一台面和第二台面彼此横向分开，第一台面形成衬底和射频开关器件的第二端口之间的第一主电流传导路径，第二台面形成衬底和射频开关器件的第三端口之间的第二主电流传导路径。

11.根据权利要求1所述的射频开关器件，其特征在于，当所述栅极被偏置在相对于所述衬底或所述台面的电压大于规定的阈值电压时，台面中的多数电荷载流子将被吸入漂移区，从而导通并降低所述射频开关器件的导通电阻。

12.根据权利要求1所述的射频开关器件，其特征在于，当所述栅极被偏置在小于规定的阈值电压时，所述台面中的漂移区被耗尽并夹断，所述射频开关器件的截止电阻增加。

13.一种射频开关器件的制造方法，其特征在于，该方法包括：以第一掺杂浓度水平的第一导电类型的杂质掺杂半导体衬底；形成至少一个从衬底的上表面垂直延伸并与衬底的上表面相连的台面，该台面包括漂移区，该漂移区掺杂有第二掺杂浓度水平的第一导电类型的杂质，第二掺杂浓度水平小于第一掺杂浓度水平，该台面形成射频开关器件中的主要电流传导路径；在衬底的上表面与台面的侧壁的至少一部分上形成绝缘层；且，

在绝缘层的上表面的至少一部分上形成至少一个栅极，栅极至少部分地围绕台面。