[发明专利]半导体硅片表面金属回收率及设备的检测方法

权利要求书

1.一种检测半导体硅片表面金属回收率的方法，其特征在于，包括：

(1)制备指定金属浓度C₀的标准硅片和回收液，所述回收液包括2-5wt％的HF、50-72wt％的HNO₃和超纯水；

(2)利用所述回收液对所述标准硅片进行处理得到收集液，采用金属回收装置收集所述收集液，将所述收集液送至金属含量测试装置进行分析，得到所述标准硅片的第一次回收金属浓度C₁；

(3)所述标准硅片的金属回收率RA＝C₁/C₀*100％。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述指定金属浓度C₀为5×10⁹-1×10¹³atoms/cm²。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述制备指定金属浓度C₀的标准硅片包括：

(1-1)制备一定浓度的污染标准液；

(1-2)清洁硅片，然后将所述标准硅片置于局部洁净空间中；

(1-3)将所述污染标准液滴在所述硅片表面并干燥，得到指定金属浓度C₀的标准硅片。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述污染标准液中的金属包括：Li、Na、Mg、Al、K、Ca、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Sr、Mo、Ag、Ba、W和Pb中的至少之一。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述污染标准液中每种金属的浓度为10-50ppb。

6.根据权利要求3至5任意一项所述的方法，其特征在于，所述污染标准液中还包括酸，所述酸在所述污染标准液中的体积含量小于3％，其中，所述酸包括：HNO₃、HF和HCl中的至少之一。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述污染标准液中还包括同位素⁸⁶Sr、⁵³Cr或⁶⁰Ni，所述同位素⁸⁶Sr、⁵³Cr或⁶⁰Ni的浓度为10-50ppb。

8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在步骤(1-3)中，采用自动化系统将所述污染标准液滴在所述硅片表面，所述自动化系统包括载台、移液管、载台控制单元和移液管控制单元，所述载台控制单元用于控制所述载台上的所述硅片以所述硅片的中心为圆心进行转动，所述移液管控制单元用于控制所述移液管在所述硅片上径向移动。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述自动化系统将所述污染标准液滴在所述硅片表面包括：

(a)将所述硅片放置在所述载台的指定位置；

(b)使移液管吸取指定体积的所述污染标准液；

(c)同时开启所述移液管控制单元和所述载台控制单元，所述移液管控制单元依据径向步长信息控制所述移液管在所述硅片上做径向移动，当移动到指定的径向步长位置时所述移液管停止运动，所述载台控制单元依据角度信息控制所述硅片以所述硅片的中心为圆心转动，当转动到指定的角度位置时，所述硅片停止转动，滴液，依此循环；

(d)滴液完成后，静置干燥，得到指定金属浓度C₀的标准硅片。

10.一种设备的检测方法，其特征在于，利用权利要求1-9中任一项的方法来检测所述设备，当标准硅片的金属回收率RA为60-120％时，则判定所述设备运行正常，所述设备包括所述金属回收装置和所述金属含量测试装置。

11.根据权利要求10所述的检测方法，其特征在于，所述标准硅片中的金属至少包括两种，且其中一种为Cu，当所述Cu的回收率RA为60％-120％且除所述Cu以外的其他金属的回收率RA为80％-120％时，则判定所述设备运行正常。