[发明专利]显示装置在审
| 申请号: | 202111163925.4 | 申请日: | 2021-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN114388575A | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
| 发明(设计)人: | 李善旭;金康旭;尹汝建;赵敦瓒 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 李子光 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
第一像素、第二像素和第三像素,形成一个点并且显示不同的颜色;
第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件,所述第一发光元件布置在所述第一像素中,所述第二发光元件布置在所述第二像素中,所述第三发光元件布置在所述第三像素中;以及
第一颜色转换区域、第二颜色转换区域和第三颜色转换区域,在所述第一颜色转换区域中布置有与所述第一发光元件重叠的第一颜色转换层,在所述第二颜色转换区域中布置有与所述第二发光元件重叠的第二颜色转换层,在所述第三颜色转换区域中布置有与所述第三发光元件重叠的第三颜色转换层,
其中,所述第一颜色转换区域、所述第二颜色转换区域和所述第三颜色转换区域具有包括至少五个边的多边形平面形状。
2.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述点的平面区域的水平长度大于所述第一像素的所述第一颜色转换区域的第一水平宽度和所述第二像素的所述第二颜色转换区域的第二水平宽度之和,所述点的所述平面区域的垂直长度小于所述第一像素的所述第一颜色转换区域的第一垂直宽度和所述第三像素的所述第三颜色转换区域的第三垂直宽度之和,并且所述点的所述平面区域的所述垂直长度小于所述第二像素的所述第二颜色转换区域的第二垂直宽度和所述第三像素的所述第三颜色转换区域的所述第三垂直宽度之和。
3.如权利要求2所述的显示装置,其中,所述多边形平面形状具有八个边。
4.如权利要求3所述的显示装置,其中,所述第一像素和所述第二像素布置在第一行中并且沿水平方向彼此相邻地布置,所述第三像素和所述第一像素沿垂直方向交替布置,所述第三像素和所述第二像素沿所述垂直方向交替布置,并且连接所述第一像素的中心、所述第二像素的中心和所述第三像素的中心的假想线形成三角形平面形状。
5.如权利要求3所述的显示装置,其中,所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件的发光层发射第一波长的光,所述第一颜色转换层将所述第一波长的所述光转换为第二波长的光,所述第二颜色转换层将所述第一波长的所述光转换为第三波长的光,并且所述第三颜色转换层透射所述第一波长的所述光。
6.如权利要求5所述的显示装置,其中,所述第一颜色转换层包括第一量子点和散射体,所述第二颜色转换层包括第二量子点和所述散射体,并且所述第三颜色转换层包括所述散射体。
7.如权利要求3所述的显示装置,还包括彼此面对的第一衬底和第二衬底,
其中:
所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件布置在所述第一衬底和所述第二衬底之间;
所述第一颜色转换层、所述第二颜色转换层和所述第三颜色转换层分别布置在所述第二衬底与所述第一发光元件之间、所述第二衬底与所述第二发光元件之间以及所述第二衬底与所述第三发光元件之间,并且
所述第一颜色转换区域、所述第二颜色转换区域和所述第三颜色转换区域由分隔壁限定。
8.如权利要求7所述的显示装置,还包括覆盖层和间隔物,所述覆盖层布置在所述分隔壁的侧表面上并且布置在所述分隔壁的面对所述第一衬底的下表面上,所述间隔物从所述覆盖层的一部分朝向所述第一衬底突出。
9.如权利要求4所述的显示装置,其中:
所述点还包括第四像素;
所述第四像素和所述第一像素沿所述垂直方向交替布置;并且
所述第四像素和所述第二像素沿所述垂直方向交替布置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





