[发明专利]一种集成光感应器的显示装置及制备工艺

权利要求书

1.一种集成光感应器的显示装置，其特征在于：所述显示装置包括TFT阵列基板，所述TFT阵列基板包括显示区和非显示区，在非显示区集成光感应器，所述光感应器包括正极、负极以及位于正极和负极之间的PIN型或NIP型太阳能电池结构。

2.根据权利要求1所述的一种集成光感应器的显示装置，其特征在于：所述光感应器的正极和负极与TFT阵列基板显示区的金属层或像素电极或公共电极在同一制程下沉积蚀刻。

3.根据权利要求2所述的一种集成光感应器的显示装置，其特征在于：所述光感应器的PIN型太阳能电池结构由p层、i层以及n层构成，其中n层与TFT阵列基板显示区晶体管的欧姆接触层n+ a-Si位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻。

4.根据权利要求3所述的一种集成光感应器的显示装置，其特征在于：所述光感应器的i层与TFT阵列基板显示区晶体管的有源层a-Si位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻。

5.根据权利要求1或2所述的一种集成光感应器的显示装置，其特征在于：所述光感应器的正极或负极与TFT阵列基板显示区晶体管的源漏极金属层位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻，所述光感应器的正极或负极的走线保护层与TFT阵列基板显示区晶体管的源漏极绝缘保护层位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻，所述光感应器的负极或正极与TFT阵列基板显示区的透明像素电极或透明公共电极位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻。

6.根据权利要求1-4任一项所述的一种集成光感应器的显示装置，其特征在于：所述光感应器的正极与TFT阵列基板显示区晶体管的栅极金属层位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻，所述光感应器的正极的走线保护层与TFT阵列基板显示区晶体管的栅极绝缘保护层位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻，所述光感应器的负极与TFT阵列基板显示区的透明像素电极位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻。

7.根据权利要求6所述的一种集成光感应器的显示装置，其特征在于：所述光感应器的负极及其走线的保护层与TFT阵列基板显示区晶体管的源漏极绝缘保护层位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻。

8.根据权利要求1所述的一种集成光感应器的显示装置，其特征在于：所述TFT阵列基板显示区上阵列OLED，所述光感应器的正极或负极与TFT阵列基板显示区OLED的阳极位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻，所述光感应器的负极或正极与TFT阵列基板显示区OLED的阴极位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻。

9.根据权利要求1-4、7、8任一项所述的一种集成光感应器的显示装置，其特征在于：所述光感应器为两个以上，光感仪器之间的连接方式为串联连接。

10.一种集成光感应器的显示装置的制备工艺，其特征在于，包括TFT阵列基板上晶体管的制备工艺，以及光感应器的制备工艺，所述光感应器制备步骤包括：光感应器正极或负极的沉积蚀刻、PIN型或NIP型太阳能电池结构的制备以及光感应器负极或正极的沉积蚀刻；其中PIN型或NIP型太阳能电池结构的制备包括p层沉积蚀刻、i层沉积蚀刻以及n层沉积蚀刻。

11.根据权利要求10所述的一种集成光感应器的显示装置的制备工艺，其特征在于：所述光感应器的正极和负极与TFT阵列基板显示区的金属层或像素电极或公共电极在同一制程下沉积蚀刻。

12.根据权利要求11所述的一种集成光感应器的显示装置的制备工艺，其特征在于：所述光感应器的n层与TFT阵列基板显示区晶体管的欧姆接触层在同一制程下沉积蚀刻。

13.根据权利要求12所述的一种集成光感应器的显示装置的制备工艺，其特征在于：所述光感应器的i层与TFT阵列基板显示区晶体管的有源层a-Si在同一制程下沉积蚀刻。