[发明专利]发光基板的制作方法及发光基板

说明书

本申请实施例公开了一种发光基板的制作方法及发光基板，该发光基板的制作方法包括以下步骤：在一衬底基板上形成多个LED芯片，相邻LED芯片之间具有间隔区；在衬底基板上形成黑色光阻层，以覆盖多个LED芯片以及多个间隔区；对黑色光阻层进行第一次曝光处理，以减少位于多个LED芯片正上方的黑色光阻层中的无机物；对黑色光阻层进行第二次曝光处理，以固化黑色光阻层。该发光基板的制作方法通过对黑色光阻层进行第一次曝光处理，以减少位于多个LED芯片正上方的黑色光阻层中的无机物，从而增大LED芯片的出光亮度，增大能效，可以解决LED芯片出光亮度不均的问题。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种发光基板的制作方法及发光基板。

背景技术

Micro Led(Micro Light Emitting Diode，微型发光二极管)技术已成为成未来显示技术的热点之一，和目前的LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)、OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示器件相比，具有反应快、高色域、高解析度、低能耗等优势；Mini-LED(Mini Light Emitting Diode，小间距发光二极管)作为Micro-LED与背板结合的产物，具有高对比度、高显色性能等可与OLED相媲美的特点，成本稍高于LCD，但仅为OLED的六成左右，且相对Micro-LED、OLED更易实施，所以Mini-LED成为各大面板厂商布局热点。

Micro Led/Mini Led技术为LED微缩化和矩阵化技术，指的是在一个芯片上集成高密度、微小尺寸的LED阵列的技术，以将像素点的距离从毫米级降低至微米级，甚至是纳米级。具体地，阵列基板上设置有多个LED芯片，由于阵列基板上排布的LED芯片的芯片数量巨大，且LED芯片的尺寸在微米级别上，LED芯片与LED芯片之间的间距也比较小，如果MicroLed/Mini Led的LED芯片之间未建立阻挡层或阻挡层的透过率较高，LED芯片发出的朗伯光型会引起相邻像素的量子点色彩转换层被激发，从而发生光串扰，会大大降低显示的色域。

现有技术中常使用黑色阻挡层来阻挡像素之间光串扰，黑色阻挡层采用整面喷凃后去除表面黑胶的工艺涂敷，但是，由于Micro Led/Mini Led芯片自身及绑定焊料的高度差，LED芯片之间的高度差大概在20微米左右，使部分LED芯片表面在研磨后仍有大量黑胶覆盖而导致LED芯片的出光亮度不均，大量光被覆盖在LED芯片表面的黑胶阻挡层吸收，能效较低，严重影响Micro Led/Mini Led发光基板的品质。

发明内容

本申请提供一种发光基板的制作方法及发光基板，该发光基板的制作方法通过在掩膜下对LED芯片正上方的黑色光阻进行预固化，使LED芯片表面的黑色光阻减少，增大LED芯片出光亮度，增大能效，解决了LED芯片出光亮度不均的问题。

第一方面，本申请实施例提供一种发光基板的制作方法，包括：

在一衬底基板上形成多个LED芯片，相邻所述LED芯片之间具有间隔区；

在所述衬底基板上形成黑色光阻层，以覆盖多个所述LED芯片以及多个所述间隔区；

对所述黑色光阻层进行第一次曝光处理，以减少位于多个所述LED芯片正上方的所述黑色光阻层中的无机物；

对所述黑色光阻层进行第二次曝光处理，以固化所述黑色光阻层。

可选地，在本申请的一些实施例中，所述在所述衬底基板上形成黑色光阻层，以覆盖多个所述LED芯片以及多个所述间隔区的步骤，具体包括：对所述黑色光阻进行平坦化处理，以使所述黑色光阻层填充所述间隔区。