[发明专利]OLED显示模组、OLED显示模组的制备方法及电子设备

权利要求书

1.一种OLED显示模组，其特征在于，包括：

衬底；

OLED器件，设置于所述衬底上，所述OLED器件背离所述衬底的一侧为出光侧；

第一金属纳米颗粒层，设置于所述OLED器件背离所述衬底的一侧。

2.根据权利要求1所述的OLED显示模组，其特征在于，所述第一金属纳米颗粒层中的金属纳米颗粒的粒径为1nm～100nm；和/或

所述第一金属纳米颗粒层的厚度为4nm～6nm；和/或

所述第一金属纳米颗粒层的材料包括金和银中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的OLED显示模组，其特征在于，所述OLED显示模组还包括第一封装保护层，所述第一封装保护层设于所述第一金属纳米颗粒层背离所述OLED器件的一侧，并且，所述第一封装保护层包覆所述第一金属纳米颗粒层和所述OLED器件。

4.根据权利要求3所述的OLED显示模组，其特征在于，所述第一封装保护层的厚度为40nm～60nm；和/或

所述第一封装保护层的材料包括氧化钼。

5.根据权利要求3所述的OLED显示模组，其特征在于，所述OLED显示模组还包括第二金属纳米颗粒层与第二封装保护层，所述第二金属纳米颗粒层设于所述第一封装保护层背离所述第一金属纳米颗粒层的一侧，所述第二封装保护层设于所述第二金属纳米颗粒层背离所述第一封装保护层的一侧，并且，所述第二封装保护层包覆所述第二金属纳米颗粒层和所述第一封装保护层。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的OLED显示模组，其特征在于，所述OLED器件包括阴极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极，所述阴极设于所述衬底上，所述电子注入层设于所述阴极背离所述衬底的一侧，所述电子传输层设于所述电子注入层背离所述阴极的一侧，所述发光层设于所述电子传输层背离所述电子注入层的一侧，所述空穴传输层设于所述发光层背离所述电子传输层的一侧，所述空穴注入层设于所述空穴传输层背离所述发光层的一侧，所述阳极设于所述空穴注入层背离所述空穴传输层的一侧，其中，所述阳极为透光电极。

7.一种OLED显示模组的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上制备OLED器件；

在所述OLED器件背离所述衬底的一侧制备第一金属纳米颗粒层。

8.根据权利要求7所述的OLED显示模组的制备方法，其特征在于，所述在所述OLED器件背离所述衬底的一侧制备第一金属纳米颗粒层包括：采用蒸镀的方法以的速率制备所述第一金属纳米颗粒层。

9.根据权利要求7所述的OLED显示模组的制备方法，其特征在于，所述OLED显示模组的制备方法还包括：

在所述第一金属纳米颗粒层背离所述OLED器件的一侧制备第一封装保护层，所述第一封装保护层包覆所述第一金属纳米颗粒层和所述OLED器件。

10.根据权利要求9所述的OLED显示模组的制备方法，其特征在于，所述在所述第一金属纳米颗粒层背离所述OLED器件的一侧制备第一封装保护层包括：采用蒸镀的方法以的速率制备所述第一封装保护层，所述第一封装保护层的材料包括氧化钼。

11.根据权利要求9所述的OLED显示模组的制备方法，其特征在于，所述OLED显示模组的制备方法还包括：

在所述第一封装保护层背离所述第一金属纳米颗粒层的一侧制备第二金属纳米颗粒层；

在所述第二金属纳米颗粒层背离所述第一封装保护层的一侧制备第二封装保护层，所述第二封装保护层包覆所述第二金属纳米颗粒层和所述第一封装保护层。

12.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-6中任一项所述的OLED显示模组。