[发明专利]对向靶磁控溅射无损伤薄膜沉积系统在审
| 申请号： | 202111157623.6 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN113913775A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 黄仕华;李林华;郝亚非 | 申请（专利权）人： | 浙江师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/56 | 分类号： | C23C14/56;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人： | 朱枫 |
| 地址： | 321004 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 损伤 薄膜 沉积 系统 | ||
【权利要求书】：
1.对向靶磁控溅射无损伤薄膜沉积系统，包括衬底和两个对向靶，其特征在于：两个对向靶对称布置于衬底前方，并分别与衬底形成正、负250~300的夹角，在对向靶与衬底之间插入了一个网孔状金属板作为阳极。
2.如权利要求1所述的对向靶磁控溅射无损伤薄膜沉积系统，其特征在于：衬底两侧设置有磁场。
3.如权利要求1或2所述的对向靶磁控溅射无损伤薄膜沉积系统，其特征在于：两个对向靶之间还具有一实心金属板作为阳极，与所述的网孔状金属板平行，设置在网孔状金属板相对于衬底的另一侧。
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