[发明专利]一种多线切割后的碳化硅晶片清洗方法在审
| 申请号： | 202111157025.9 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN113857140A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 王升;陈辉;李有群;贺贤汉 | 申请（专利权）人： | 安徽微芯长江半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;B08B3/10;B08B3/12;B08B3/04 |
| 代理公司： | 铜陵市天成专利事务所(普通合伙) 34105 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 244000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 切割 碳化硅 晶片 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多线切割后的碳化硅晶片清洗方法，其特征是：多线切割后的碳化硅晶片依次经过如下工艺步骤：
S1，清洗前预处理：酸液浸泡碳化硅晶片，酸液为体积浓度为2～6%盐酸溶液，浸泡时间为30～60min；
S2，一号QDR槽鼓泡及快排，所述的鼓泡气源为压缩空气，压缩空气压力为0.1～0.6Mpa，鼓泡时间60～120S，使用中水，温度20～50℃，快排1～3次；
S3，二号槽市水超声清洗，超声频率28Hz，超声时间10～20min，水温20～50℃；
S4，三号槽药液超声清洗，超声频率28Hz，超声时间10～20min，药液温度50～80℃；
S5，四号槽药液超声清洗，超声频率40Hz，超声时间10～20min，药液温度50～80℃，其中的药液为质量百分浓度为0.5%-3%的NaOH溶液；
S6，五号槽市水超声溢流漂洗，超声频率40Hz，超声时间3～5min，水温20～50℃, 溢流速度3～10升／min；
S7，六号槽热风干燥。
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