[发明专利]化学机械抛光后的碲锌镉单晶晶片的清洗工艺

说明书

本申请提供了一种化学机械抛光后的碲锌镉单晶晶片的清洗工艺，包括以下步骤：步骤一，将化学机械抛光后的碲锌镉单晶晶片用溶液A进行浸洗；步骤二，用酸和氧化剂和水的混合物对晶片表面进行清洗；步骤三，用去离子水对晶片表面进行漂洗；步骤四，采用带羟基或羧基的一元或多元酸对晶片进行清洗；步骤五，用去离子水对晶片表面进行漂洗；步骤六，采用强碱溶液和氧化剂的混合液对晶片表面进行清洗；步骤七，用去离子水对晶片表面进行漂洗；步骤八，用无机酸进行清洗；步骤九，用去离子水对晶片表面进行漂洗；步骤十，热氮气烘干后在氮气气氛下进行包装。本公开采用多步清洗的方法去除晶片表面的离子、氧化层，抑制Te单质的形成。

技术领域

本发明涉及化合物半导体晶片的清洗工艺领域，具体涉及一种化学机械抛光后的碲锌镉单晶晶片的清洗工艺。

背景技术

碲锌镉是宽禁带II-VI族化合物半导体，可以看作是CdTe和ZnTe固溶而成的一种三元化合物半导体，具有原子序数大、禁带宽度大、电阻率高等优异的性能。通过调整碲锌镉中的Zn含量调制不同晶格的碲锌镉，使其与任意组分的碲镉汞(HgCdTe)材料的完全匹配，实现准同质外延，降低由于晶格失配造成的缺陷。

作为衬底材料，要求碲锌镉表面状态达到“开盒即用”。但是经过切片、研磨、抛光等加工过程，碲锌镉晶片表面会存在药水、金属离子、损伤层、玷污和氧化物等污染和缺陷，因此需要对碲锌镉晶片表面进行清洗。

发明内容

鉴于背景技术中存在的问题，本公开的目的在于提供一种化学机械抛光后的碲锌镉单晶晶片的清洗工艺。

为了实现上述目的，本公开提供了一种化学机械抛光后的碲锌镉单晶晶片的清洗工艺，包括以下步骤：步骤一，将化学机械抛光后的碲锌镉单晶晶片放入清洗装置中，用溶液A进行浸洗；步骤二，用酸和氧化剂和水的混合物对晶片表面进行清洗；步骤三，用去离子水对晶片表面进行漂洗；步骤四，采用带羟基或羧基的一元或多元酸对晶片进行清洗；步骤五，用去离子水对晶片表面进行漂洗；步骤六，采用强碱溶液和氧化剂的混合液对晶片表面进行清洗；步骤七，用去离子水对晶片表面进行漂洗；步骤八，用无机酸进行清洗；步骤九，用去离子水对晶片表面进行漂洗；步骤十，热氮气烘干后在氮气气氛下进行包装。

在一些实施例中，在步骤一中，所述溶液A选自30％～60％二乙基醇胺或30％～60％三乙醇胺、1％～10％氢氧化四甲基胺、0.05％～1％耐碱渗透剂的混合溶液。

在一些实施例中，在步骤一中，浸洗温度为50℃～90℃，浸洗时间为2min～4min。

在一些实施例中，在步骤二中，所述酸选自盐酸、硫酸、氢氟酸、磷酸中的至少一种。

在一些实施例中，在步骤二中，所述氧化剂选自双氧水。

在一些实施例中，在步骤二中，清洗时间为20s～120s。

在一些实施例中，在步骤二中，所述用酸∶双氧水∶水的体积比＝1∶1∶20～100。

在一些实施例中，在步骤四中，所述带羟基或羧基的一元或多元酸选自苹果酸、柠檬酸和酒石酸中的至少一种。

在一些实施例中，在步骤四中，所述苹果酸、柠檬酸和酒石酸质量分数均为3％～10％。

在一些实施例中，在步骤六中，所述强碱溶液选自氢氧化钠、氢氧化钾、四甲基氢氧化铵中的至少一种。

在一些实施例中，在步骤六中，所述氧化剂选自双氧水溶液。

在一些实施例中，在步骤六中，氢氧化钠的质量分数为5％～15％。

在一些实施例中，在步骤六中，双氧水的质量分数为1％～3％。

在一些实施例中，在步骤六中，清洗时间为60s～120s。