[发明专利]一种半导体钝化结构的制备方法

权利要求书

1.一种半导体钝化结构的制备方法，其特征在于，在一基底上依次制备形成功能层以及第一金属层，所述第一金属层的中间部分具有一第一缺口以暴露所述功能层，还包括：

步骤S1：在所述基底上形成第一钝化层，所述第一钝化层包裹所述功能层与所述第一金属层；

步骤S2：对所述第一钝化层进行去除，以保留所述第一缺口内以及突出于所述第一缺口的所述第一钝化层；

步骤S3：在所述第一钝化层上制备形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层部分覆盖所述第一钝化层；

步骤S4：在所述第一金属层上制备形成第二金属层并包裹所述第一钝化层，随后去除所述第一光刻胶层，以使得所述第二金属层上形成一第二缺口，所述第二缺口位于所述第一钝化层上方部分区域；

步骤S5：在所述第一钝化层上制备形成一第二钝化层，并覆盖所述第二金属层的上表面；

步骤S6：部分去除覆盖于所述第二金属层的上表面的所述第二钝化层；

步骤S7：在所述第二钝化层上制备形成一保护层，所述保护层包裹所述第二钝化层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一钝化层包括：

至少两层二氧化硅薄膜，多层所述二氧化硅薄膜的折射率自下而上递减，多层所述二氧化硅薄膜的折射率自下而上递减，多层所述二氧化硅薄膜的应力自下而上递减，多层所述二氧化硅薄膜的工艺温度自下而上递减；

所述二氧化硅薄膜的应力为压应力；

位于最下层的所述二氧化硅薄膜的折射率大于1.5；

所述二氧化硅薄膜的折射率范围为1.45-1.55；所述二氧化硅薄膜的应力范围为-200MPa–0MPa；

所述二氧化硅薄膜的BHF腐蚀速率范围为100nm/min-1000nm/min；

所述二氧化硅薄膜的工艺温度范围为300℃-350℃；

所述二氧化硅薄膜的厚度范围为10nm-1000nm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二钝化层包括：

至少两层氮化硅薄膜，多层所述氮化硅薄膜的折射率自下而上递增，多层所述氮化硅薄膜的折射率自下而上递增，多层所述氮化硅薄膜的应力自下而上递增，多层所述氮化硅薄膜的工艺温度自下而上递减；

所述氮化硅薄膜的应力为张应力；

所述氮化硅薄膜的折射率范围为1.9-2.2；

所述氮化硅薄膜的应力范围为0-200MPa；

所述氮化硅薄膜的BHF腐蚀速率范围为20nm/min-1000nm/min；所述氮化硅薄膜的工艺温度范围为250℃-300℃；

所述氮化硅薄膜的厚度范围为100nm-1μm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2包括：

步骤S21：在所述第一钝化层上方涂覆光刻胶；

步骤S22：去除所述第一金属层上方的所述光刻胶，以暴露所述第一金属层上方的部分所述第一钝化层；

步骤S23：对所述第一金属层上方的部分所述第一钝化层进行腐蚀开口；

步骤S24：去除所述光刻胶以及所述基底上方的所述第一钝化层，以保留所述第一缺口内以及突出于所述第一缺口的所述第一钝化层。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S6包括：

步骤S61：在所述第二钝化层上方涂覆光刻胶；

步骤S62：去除部分所述第二金属层上方的所述光刻胶，以暴露部分的所述第二钝化层；

步骤S63：对所述裸露的第二钝化层进行腐蚀开口，以使得部分所述第二金属层裸露；

步骤S64：去除所述光刻胶。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S7包括：

步骤S71：在所述第二钝化层上方涂覆光刻胶，所述光刻胶覆盖于所述第二金属层上；

步骤S72：经过光刻、显影液腐蚀工艺使得部分所述第二金属层裸露；

步骤S73：经烘烤工艺使得所述光刻胶固化，形成所述保护层。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属层与所述第二金属层的厚度为0.2μm～2μm。