[发明专利]曲面换能器、超声设备、曲面压电组件及制备方法

权利要求书

1.一种曲面压电组件，其特征在于，包括：在厚度方向依次层叠设置的导电匹配层和压电阵列层，所述压电阵列层包括若干个阵元，若干个所述阵元排列为弧面型；相邻的所述阵元之间由间隔槽隔开；所述压电阵列层的上表面设有相互独立的正极导电层，所述压电阵列层的下表面相互电导通。

2.根据权利要求1所述的曲面压电组件，其特征在于，所述间隔槽的槽深不小于所述正极导电层的厚度与所述阵元的厚度之和。

3.根据权利要求1所述的曲面压电组件，其特征在于，所述压电阵列层的下表面设有负极导电层，所述负极导电层使若干个所述阵元相互电导通。

4.根据权利要求1所述的曲面压电组件，其特征在于，所述压电阵列层的下表面直接贴合设置所述导电匹配层。

5.根据权利要求1所述的曲面压电组件，其特征在于，所述间隔槽中填充绝缘物。

6.一种曲面换能器，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的曲面压电组件和如下中的至少一种：

壳体，所述曲面压电组件位于所述壳体内；

背衬层，所述背衬层叠加设置在所述压电阵列层的具有正极导电层的一侧；

声透镜，所述声透镜叠加设置在所述导电匹配层的背离所述压电阵列层的一侧。

7.一种超声设备，其特征在于，包括：主机和权利要求6所述的曲面换能器，所述曲面换能器与所述主机连接。

8.一种曲面压电组件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、选取设定尺寸的平板状压电层，并在所述压电层的上表面形成第一导电层；

S2、直接在所述压电层的下表面层叠导电匹配层；

S3、在所述压电层上直接形成间隔槽，使所述压电层被划分为若干个相互独立的阵元形成压电阵列层；

S4、将具有独立的阵元的所述压电阵列层压制成弧面型，且所述导电匹配层为内凹面。

9.根据权利要求8所述的曲面压电组件的制备方法，其特征在于，还包括以下内容：

在步骤S2之前，在所述压电层的下表面先形成第二导电层。

10.根据权利要求8所述的曲面压电组件的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：

S5、所述压电阵列层被压制成弧面型后，在相邻的所述阵元之间的间隔槽中填充聚合物。