[发明专利]一种适用于SiC MOSFET的桥臂互锁电路

说明书

本发明公开一种适用于SiC MOSFET的桥臂互锁电路，涉及互锁电路领域，包括与非门芯片U1A和与门芯片U1B，所述与非门芯片U1A的1号引脚连接PWM1信号，2号引脚连接PWM2信号，4号引脚连接PWM3信号，5号引脚连接PWM4信号，所述非门芯片U1A的3号引脚输出一路使能信号S1，6号引脚输出二路使能信号S2，通过在SiC MOSFET的驱动芯片前加入桥臂互锁电路，使用与非门芯片74LS00和与门芯片74LS08，通过逻辑电路，确保半桥、全桥、推挽等电路上下桥臂不会同时导通。设计所需器件少，无需占用太大的PCB板空间，同时可以保护SiC MOSFET不被损坏。

技术领域

本发明涉及互锁电路领域，具体涉及一种适用于SiC MOSFET的桥臂互锁电路。

背景技术

在电力电子行业中，半桥、全桥、推挽结构应用极其广泛，而此类电路的同桥臂的两个功率管在任何情况下都不能同时导通，一般的处理方式是在驱动信号上添加死区时间。

而对于日渐兴起的SiC MOSFET器件来说，SiC MOSFET工作频率高，导致死区时间小，当死区时间小于SiC MOSFET本身的延时时间时，则会发生上下桥臂导通，同时因为SiCMOSFET器件的工作频率高，容易受到外界的电磁干扰，造成驱动信号电平发生偏转，导致上下桥臂同时导通，损坏SiC MOSFET功率器件。

发明内容

本发明的目的在于提供一种适用于SiC MOSFET的桥臂互锁电路，通过在SiCMOSFET的驱动芯片前加入桥臂互锁电路，使用与非门芯片74LS00和与门芯片74LS08，通过逻辑电路，确保半桥、全桥、推挽等电路上下桥臂不会同时导通。设计所需器件少，无需占用太大的PCB板空间，同时可以保护SiC MOSFET不被损坏。

一种适用于SiC MOSFET的桥臂互锁电路，包括基础全桥电路和4路PWM波信号，4路PWM波信号中PWM1信号和PWM2信号为左桥臂两个SiC MOSFET的驱动信号，PWM3信号各PWM4信号为右桥臂两个SiC MOSFET的驱动信号，还包括与非门芯片U1A和与门芯片U1B，所述与非门芯片U1A的1号引脚连接PWM1信号，2号引脚连接PWM2信号，4号引脚连接PWM3信号，5号引脚连接PWM4信号，所述非门芯片U1A的3号引脚输出一路使能信号S1，6号引脚输出二路使能信号S2；

所述与门芯片U1B的1号引脚连接PWM1信号， 2号引脚连接一路使能信号S1，两者经过与逻辑运算得到的第一驱动信号OPWM1通过3号引脚输出；

所述与门芯片U1B的4号引脚接PWM2信号，5号引脚连接一路使能信号S1，两者经过与逻辑运算得到的第二驱动信号OPWM2通过6号引脚输出；

所述与门芯片U1B的9号引脚接PWM3信号，10号引脚连接二路使能信号S2，两者经过与逻辑运算得到的第三驱动信号OPWM3通过8号引脚输出；

所述与门芯片U1B的12号引脚接PWM4信号，13号引脚连接二路使能信号S2，，两者经过与逻辑运算得到的第四驱动信号OPWM2通过11号引脚输出。

优选的，所述第一驱动信号OPWM1需要连接SiC MOSFET的驱动芯片的输入引脚，进而驱动左桥臂上管SiC MOSFET的通断。

优选的，所述第二驱动信号OPWM2需要连接SiC MOSFET的驱动芯片的输入引脚，进而驱动左桥臂下管SiC MOSFET的通断。

优选的，所述第三驱动信号OPWM3需要连接SiC MOSFET的驱动芯片的输入引脚，进而驱动右桥臂上管SiC MOSFET的通断。

优选的，所述第四驱动信号OPWM4需要连接SiC MOSFET的驱动芯片的输入引脚，进而驱动右桥臂下管SiC MOSFET的通断。

优选的，所述与非门芯片U1A采用型号为74LS00的与非门芯片，所述与门芯片U1B采用型号为74LS08的与门芯片。