[发明专利]谐振器腔体薄膜的形成方法在审
| 申请号： | 202111150301.9 | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN113921379A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 王剑敏;葛哲玮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 谐振器 薄膜 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种谐振器腔体薄膜的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
在生长非晶硅之前，形成一层300A-1000A的低应力二氧化硅薄膜，再形成一层30A-150A的低淀积速率二氧化硅薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低应力二氧化硅薄膜的应力为-50MPa至-150MPa。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在形成所述低应力二氧化硅薄膜时，工艺腔内的淀积温度为350℃至450℃，淀积压力为2Torr至4Torr，高频功率为100W至500W，硅烷流量为200sccm至500sccm，N2O的流量为3000sccm至5000sccm，淀积速率为8000A/min至12000A/min。
4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，在形成所述低淀积速率二氧化硅薄膜时，工艺腔内的淀积温度为350℃至450℃，淀积压力为2Torr至4Torr，高频功率为100W至500W，硅烷流量为10sccm至150sccm，N2O的流量为3000sccm至5000sccm，淀积速率为1000A/min至5000A/min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
