[发明专利]一种碳布/四氧化三钴纳米线复合材料及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202111147856.8 申请日: 2021-09-29
公开(公告)号: CN113903910A 公开(公告)日: 2022-01-07
发明(设计)人: 夏晓红;周佳盈;高云;凯文·皮特·霍姆伍德 申请(专利权)人: 湖北大学
主分类号: H01M4/52 分类号: H01M4/52;H01M4/62;H01M4/66;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 李博
地址: 430062 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 氧化 纳米 复合材料 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种碳布/四氧化三钴纳米线复合材料的制备方法,包括以下步骤:

(1)将预处理的导电碳布浸泡在含有钴盐的碱性溶液中,进行化学浴处理,得到生长有Co(OH)2层的导电碳布;

(2)将所述步骤(1)得到的生长有Co(OH)2层的导电碳布进行退火,得到碳布/四氧化三钴纳米线复合材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中的预处理包括对导电碳布依次进行的退火处理、洗涤和干燥。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述退火处理的温度为200~400℃,所述退火处理的保温时间为15~25min;

升温至所述退火处理的温度的升温速率为8~15℃/s。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中的含有钴盐的碱性溶液包括硫酸钴和脲,所述硫酸钴和脲的物质的量之比为1:(10~20);

所述硫酸钴在含有钴盐的碱性溶液中的浓度为0.1~0.2mol/L。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中的化学浴处理的温度为60~100℃,化学浴处理的时间为0.5~12h。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中的退火的温度为200~500℃,退火的保温时间为1~5h;

升温至所述退火的温度的升温速率为1~4℃/min。

7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中将预处理的导电碳布浸泡在含有钴盐的碱性溶液前,还包括对含有钴盐的碱性溶液进行预热。

8.权利要求1~7任意一项所述制备方法制备得到的碳布/四氧化三钴纳米线复合材料,包括碳布和直接生长在所述碳布表面的四氧化三钴纳米线,所述四氧化三钴纳米线为尖晶石结构。

9.根据权利要求8所述的碳布/四氧化三钴纳米线复合材料,其特征在于,所述四氧化三钴纳米线的单根纳米线直径为20~80nm,长度为0.5~2μm。

10.权利要求8或9所述的碳布/四氧化三钴纳米线复合材料在负极材料在锂离子电池中的应用。

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