[发明专利]一种用于拉制单晶硅棒的拉晶炉

权利要求书

1.一种用于拉制单晶硅棒的拉晶炉，其特征在于，所述拉晶炉包括限定出热处理室的加热器，所述加热器在所述拉晶炉中设置成使得，所述单晶硅棒能够通过沿着拉晶方向移动而进入到所述热处理室中。

2.根据权利要求1所述的拉晶炉，其特征在于，所述拉晶炉还包括提拉机构，所述提拉机构用于使所述单晶硅棒沿着所述拉晶方向移动以使所述单晶硅棒从相界面处生长并且进入到所述热处理室中。

3.根据权利要求2所述的拉晶炉，其特征在于，所述提拉机构构造成使整个所述单晶硅棒在所述热处理室中停留所需的热处理时间。

4.根据权利要求2所述的拉晶炉，其特征在于，所述提拉机构构造成使所述单晶硅棒以恒定的速度移动穿过所述热处理室，使得所述单晶硅棒的任一横截面在所述热处理室中停留所需的热处理时间。

5.根据权利要求1所述的拉晶炉，其特征在于，所述拉晶炉还包括设置在热处理室内的用于对所述单晶硅棒的温度进行检测的温度传感器和与所述温度传感器连接的控制器，

其中，所述控制器设置成用于根据所述温度传感器检测到的温度控制所述加热器的加热温度，以提供所需的热处理温度。

6.根据权利要求5所述的拉晶炉，其特征在于，所述加热器能够被所述控制器控制成所述加热器的沿所述拉晶方向的不同部分同时提供不同的温度。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的拉晶炉，其特征在于，所述单晶硅棒的热处理温度为800摄氏度。

8.根据权利要求3或4所述的拉晶炉，其特征在于，所述热处理时间为2小时。

9.根据权利要求1至6中的任一项所述的拉晶炉，其特征在于，所述热处理室的沿所述拉晶方向的长度大于等于所述单晶硅棒的长度使得所述单晶硅棒能够完全位于所述热处理室中。

10.根据权利要求1所述的拉晶炉，其特征在于，所述单晶硅棒在所述热处理室中被热处理之后具有的BMD密度不小于1E8ea/cm³。