[发明专利]用于巨量转移的对位装置及方法、显示面板的背板在审
| 申请号: | 202111142680.7 | 申请日: | 2021-09-28 |
| 公开(公告)号: | CN113871338A | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
| 发明(设计)人: | 张有为 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;南京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/67;H01L25/16;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 李远思 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 巨量 转移 对位 装置 方法 显示 面板 背板 | ||
1.一种用于巨量转移的对位装置,其特征在于,包括:控制器、阵列排布在背板上的第一压电结构和阵列排布在背板上的第二压电结构,其中,所述背板包括阵列排布的背板电极;
所述控制器,用于向在第一方向上相邻的两个第一压电结构施加电压以使得所述相邻的两个第一压电结构通过形变对置于所述相邻的两个第一压电结构之间的发光二极管进行与背板电极的第一方向对位;
所述控制器,还用于向在第二方向上相邻的两个第二压电结构施加电压以使得所述相邻的两个第二压电结构通过形变对置于所述相邻的两个第二压电结构之间的发光二极管进行与背板电极的第二方向对位,其中,所述第一方向与所述第二方向正交。
2.根据权利要求1所述的对位装置,其特征在于,在第一方向上相邻的两个第一压电结构与所述相邻的两个第一压电结构之间的背板电极的距离相等;和/或,
在第二方向上相邻的两个第二压电结构与所述相邻的两个第二压电结构之间的背板电极的距离相等。
3.根据权利要求1所述的对位装置,其特征在于,所述第一压电结构包括第一压电层及位于所述第一压电层的沿第一方向的两侧的第一电极和第二电极,所述控制器通过所述第一电极和所述第二电极向所述第一压电结构施加电压;和/或,
所述第二压电结构包括第二压电层及位于所述第二压电层的沿第二方向的两侧的第三电极和第四电极,所述控制器通过所述第三电极和所述第四电极向所述第二压电结构施加电压。
4.根据权利要求3所述的对位装置,其特征在于,所述第一压电结构还包括形成在其外侧的第一弹性绝缘层;和/或,
所述第二压电结构还包括形成在其外侧的第二弹性绝缘层。
5.根据权利要求1所述的对位装置,其特征在于,所述背板上设置有牺牲层,所述第一压电结构和所述第二压电结构设置在所述牺牲层上。
6.根据权利要求5所述的对位装置,其特征在于,所述牺牲层的厚度大于所述背板电极的厚度。
7.根据权利要求5所述的对位装置,其特征在于,所述牺牲层为低表面能牺牲层。
8.一种显示面板的背板,其特征在于,包括如权利要求1-7中任一项所述的对位装置。
9.一种基于如权利要求1所述的对位装置的对位方法,其特征在于,包括:
向在第一方向上相邻的两个第一压电结构施加电压以使得所述相邻的两个第一压电结构通过形变对置于所述相邻的两个第一压电结构之间的发光二极管进行与背板电极的第一方向对位;
向在第二方向上相邻的两个第二压电结构施加电压以使得所述相邻的两个第二压电结构通过形变对置于所述相邻的两个第二压电结构之间的发光二极管进行与背板电极的第二方向对位,其中,所述第一方向与所述第二方向正交。
10.根据权利要求9所述的对位方法,其特征在于,
在第一方向上相邻的两个第一压电结构与所述相邻的两个第一压电结构之间的背板电极的距离相等,所述向在第一方向上相邻的两个第一压电结构施加电压以使得所述相邻的两个第一压电结构通过形变对置于所述相邻的两个第一压电结构之间的发光二极管进行与背板电极的第一方向对位包括:
向在第一方向上相邻的第n个和第n+1个第一压电结构施加第一电压以使得所述相邻的第n个和第n+1个第一压电结构通过形变对置于所述相邻的第n个和第n+1个第一压电结构之间的发光二极管进行与背板电极的第一方向对位,n为奇数;
向在第一方向上相邻的第n+1个和第n+2个第一压电结构施加第二电压以使得所述相邻的第n+1个和第n+2个第一压电结构通过形变对置于所述相邻的第n+1个和第n+2个第一压电结构之间的发光二极管进行与背板电极的第一方向对位,其中,所述第二电压为所述第一电压的相反极性电压;
和/或,
在第二方向上相邻的两个第二压电结构与所述相邻的两个第二压电结构之间的背板电极的距离相等,所述向在第二方向上相邻的两个第二压电结构施加电压以使得所述相邻的两个第二压电结构通过形变对置于所述相邻的两个第二压电结构之间的发光二极管进行与背板电极的第二方向对位包括:
向在第二方向上相邻的第m个和第m+1个第一压电结构施加第三电压以使得所述相邻的第m个和第m+1个第二压电结构通过形变对置于所述相邻的第m个和第m+1个第二压电结构之间的发光二极管进行与背板电极的第二方向对位,m为奇数;
向在第二方向上相邻的第m+1个和第m+2个第二压电结构施加第四电压以使得所述相邻的第m+1个和第m+2个第二压电结构通过形变对置于所述相邻的第m+1个和第m+2个第二压电结构之间的发光二极管进行与背板电极的第二方向对位,其中,所述第四电压为所述第三电压的相反极性电压。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





