[发明专利]一种毫米波宽带单平衡下变频器和变频方法

权利要求书

1.一种毫米波宽带单平衡下变频器，其特征在于：包括波导耦合器(1)、对脊鳍线过渡结构(2)、射频本振匹配电路结构(3)、反向T型二极管对(4)、中频匹配电路(5)和低通滤波器(6)；

所述对脊鳍线过渡结构(2)包括两个波导-微带对脊鳍线过渡；所述射频本振匹配电路结构(3)包括两个射频本振匹配电路，所述射频本振匹配电路由至少一段微带传输线构成；所述反向T型二极管对(4)具有b接点、c接点和a接点；所述中频匹配电路(5)包括至少一段微带传输线；

所述波导耦合器(1)的输入端口接射频信号，隔离端口接本振信号，直通端口依次通过一个波导-微带对脊鳍线过渡和一个射频本振匹配电路后接所述b接点，耦合端口依次通过另一个波导-微带对脊鳍线过渡和另一个射频本振匹配电路后接所述c接点，所述a接点通过所述中频匹配电路(5)接所述低通滤波器(6)的输入端，所述低通滤波器(6)的中频端输出中频信号。

2.根据权利要求1所述的毫米波宽带单平衡下变频器，其特征在于：所述波导耦合器(1)采用E面分支线电桥结构。

3.根据权利要求2所述的毫米波宽带单平衡下变频器，其特征在于：所述E面分支线电桥结构的分支数量为七分支。

4.根据权利要求1所述的毫米波宽带单平衡下变频器，其特征在于：所述射频本振匹配电路包括3段微带传输线串联。

5.根据权利要求1所述的毫米波宽带单平衡下变频器，其特征在于：所述反向T型二极管对(4)包括第一肖特基二极管(41)和第二肖特基二极管(42)，所述第一肖特基二极管(41)的阴极接所述第二肖特基二极管(42)的阳极，所述第一肖特基二极管(41)和所述第二肖特基二极管(42)的公共端为所述a接点，所述第一肖特基二极管(41)的阳极为所述b接点，所述第二肖特基二极管(42)的阴极为所述c接点。

6.根据权利要求1所述的毫米波宽带单平衡下变频器，其特征在于：所述中频匹配电路(5)包括1段微带传输线。

7.根据权利要求1所述的毫米波宽带单平衡下变频器，其特征在于：所述低通滤波器(6)采用CMRC结构。

8.一种采用权利要求1-7任一项所述的毫米波宽带单平衡下变频器的变频方法，其特征在于：射频信号由波导耦合器(1)的输入端口输入，在直通端口和耦合端口得到等幅、相位相差90°的射频信号，本振信号由波导耦合器(1)的隔离端口输入，在直通端口和耦合端口得到等幅、相位相差90°的本振信号；直通端口的射频信号和本振信号通过一个波导-微带对脊鳍线过渡和一个射频本振匹配电路后输送到反向T型二极管对(4)的b接点，耦合端口的射频信号和本振信号通过另一个波导-微带对脊鳍线过渡和另一个射频本振匹配电路后输送到反向T型二极管对(4)的c接点，射频信号和本振信号在反向T型二极管对(4)中完成高效平衡式混频，反向T型二极管对(4)将产生的中频信号从a接口输出；中频信号通过中频匹配电路(5)传递至低通滤波器(6)的输入端，低通滤波器(6)的中频端输出中频信号。