[发明专利]一种细等轴晶钨铜薄片及其生产工艺在审
申请号: | 202111136884.X | 申请日: | 2021-09-27 |
公开(公告)号: | CN115870503A | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 熊宁;韩蕊蕊;张保红;刘俊海;张建伟;杨玉娟;梁立红;李达 | 申请(专利权)人: | 安泰天龙(北京)钨钼科技有限公司;安泰天龙钨钼科技有限公司;安泰科技股份有限公司 |
主分类号: | B22F5/00 | 分类号: | B22F5/00;B22F3/04;B22F3/10;B22F3/26;C21D1/26;B22F3/24;C22F1/18;C22C27/04;H01L23/367;H01L23/373 |
代理公司: | 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11594 | 代理人: | 张迎新 |
地址: | 100094 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 轴晶钨铜 薄片 及其 生产工艺 | ||
1.一种细等轴晶钨铜薄片,其特征在于,其生产工艺包括以下步骤:
(1)冷等静压压制成型
将一定质量比例的镍粉加入钨粉中混匀;混匀后的钨粉和镍粉冷等静压压制成型,得到预设厚度的压坯;
(2)高温预烧结
将压坯高温预烧结得到钨骨架的烧结坯;
(3)熔渗
将铜熔渗至钨骨架的烧结坯中,得到渗铜坯料;
(4)多线切割
对渗铜坯料进行磨削处理后多线切割,得到0.2-0.5mm的细等轴晶钨铜薄片;
其中,步骤(1)中镍粉的质量比例为2‰-4‰,该质量比例为镍粉质量占镍粉和钨粉混合总质量的百分比;压坯厚度小于等于50mm;
步骤(2)中预烧结温度为1100-1350℃,预烧结温度由钨骨架密度决定;高温保温时间为30-120min;
步骤(3)中熔渗温度为1200-1350℃,熔渗保温时间120-240min。
2.根据权利要求1所述的细等轴晶钨铜薄片,其特征在于,钨粉费氏粒度小于4μm,镍粉费氏粒度小于5μm。
3.根据权利要求1所述的细等轴晶钨铜薄片,其特征在于,渗铜坯料中钨的重量百分比含量为80%-93%,铜的重量百分比含量为7%-20%。
4.根据权利要求1所述的细等轴晶钨铜薄片,其特征在于,钨粉采用气流破碎法制备,镍粉在粉末研磨罐中研磨至镍粉的最大颗粒直径小于等于15um,且最大颗粒直径的镍粉比例小于等于0.5%。
5.根据权利要求1-4任一项所述的细等轴晶钨铜薄片,其特征在于,细等轴晶钨铜薄片能够用于芯片封装材料。
6.一种细等轴晶钨铜薄片的生产工艺,其特征在于,该工艺包括以下步骤:
(1)冷等静压压制成型
将一定质量比例的镍粉加入钨粉中混匀;混匀后的钨粉和镍粉冷等静压压制成型,得到预设厚度的压坯;
(2)高温预烧结
将压坯高温预烧结得到钨骨架的烧结坯;
(3)熔渗
将铜熔渗至钨骨架的烧结坯中,得到渗铜坯料;
(4)多线切割
对渗铜坯料进行磨削处理后多线切割,得到0.2-0.5mm的细等轴晶钨铜薄片;
其中,步骤(1)中镍粉的质量比例为3‰,该质量比例为镍粉质量占镍粉和钨粉混合总质量的百分比;压坯厚度小于等于50mm;
步骤(2)中预烧结温度为1100-1350℃,预烧结温度由钨骨架密度决定;高温保温时间为30-120min;
步骤(3)中熔渗温度为1200-1350℃,熔渗保温时间120-240min。
7.根据权利要求6所述的细等轴晶钨铜薄片的生产工艺,其特征在于,步骤(1)中压制成型前,将混合后的钨粉和镍粉装入胶套真空封装,冷等静压压强为150-230MPa,保压时间为5min。
8.根据权利要求6所述的细等轴晶钨铜薄片的生产工艺,其特征在于,步骤(2)中预烧结温度为1200-1300℃。
9.根据权利要求6所述的细等轴晶钨铜薄片的生产工艺,其特征在于,步骤(3)中熔渗温度为1250-1300℃。
10.根据权利要求6-9任一项所述的细等轴晶钨铜薄片的生产工艺,其特征在于,切割后的细等轴晶钨铜薄片进行后处理,后处理包括退火处理、双面研磨、抛光以及电镀。
11.根据权利要求10所述的细等轴晶钨铜薄片的生产工艺,其特征在于,退火处理在氢气氛或者分解氨混合气氛中进行,退火处理设备为钼丝炉或网带炉;退火处理温度为950℃,退火时间为1h。
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