[发明专利]发光二极管芯片及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：至少一个发光二极管；所述发光二极管包括：

依次层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层；其中，所述第二半导体层和所述发光层的叠层结构中设置有凹槽，所述凹槽暴露部分所述第一半导体层；

环状支撑结构，设置于所述凹槽内；

以及，第一焊盘，位于所述环状支撑结构的背离所述第一半导体层的一侧，并穿过所述环状支撑结构的环内区域与所述第一半导体层连接。

2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管还包括：

电流扩展层，部分覆盖所述第二半导体层；

钝化层，覆盖所述电流扩展层、所述第二半导体层、所述发光层和所述第一半导体层的裸露表面，以及所述环状支撑结构的位于所述环内区域外的裸露表面；所述钝化层具有第一开口和第二开口；所述第一开口暴露出所述环内区域，所述第一焊盘设置于所述第一开口内；所述第二开口暴露出部分所述电流扩展层；

第二焊盘，设置于所述第二开口内，与所述电流扩展层连接。

3.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述环状支撑结构与所述凹槽的侧壁之间具有间隔；所述钝化层的部分填充所述间隔。

4.如权利要求1～3中任意一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，

所述环内区域的径向尺寸包括：1μm～3μm；

所述凹槽的径向尺寸包括：12μm～30μm。

5.如权利要求1～3中任意一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述环状支撑结构包括：沿远离所述第一半导体层的方向层叠设置的第一环状支撑层和第二环状支撑层；其中，

所述第一环状支撑层的厚度与所述发光层的厚度相同；

所述第二环状支撑层的厚度与所述第二半导体层的厚度相同。

6.如权利要求5所述的发光二极管芯片，其特征在于，

所述第一环状支撑层的材料与所述发光层的材料相同；

所述第二环状支撑层的材料与所述第二半导体层的材料相同。

7.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上生长外延层；所述外延层包括依次层叠的第一半导体材料层、发光材料层及第二半导体材料层；

将所述发光材料层和所述第二半导体材料层图案化，形成发光层、第二半导体层、以及环状支撑结构；所述第二半导体层和所述发光层的叠层结构中具有凹槽，所述环状支撑结构位于所述凹槽内；

将所述第一半导体材料层图案化，形成第一半导体层；

在所述环状支撑结构的背离所述第一半导体层的一侧形成第一焊盘和第二焊盘，所述第二焊盘与所述第二半导体层连接，所述第一焊盘穿过所述环状支撑结构的环内区域与所述第一半导体层连接。

8.如权利要求7所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，

在所述环状支撑结构的背离所述第一半导体层的一侧形成第一焊盘和第二焊盘之前，所述制备方法还包括：在所述第二半导体层的背离所述发光层的表面形成电流扩展层；在所述第一半导体层、所述发光层、所述第二半导体层和所述电流扩展层的裸露表面、以及所述环状支撑结构的位于所述环内区域外的裸露表面上形成钝化层；其中，所述钝化层具有第一开口和第二开口；所述第一开口暴露出所述环内区域，所述第二开口暴露出部分所述电流扩展层；

所述在所述环状支撑结构的背离所述第一半导体层的一侧形成第一焊盘和第二焊盘，包括：在所述第一开口内形成所述第一焊盘，在所述第二开口内形成所述第二焊盘，所述第二焊盘通过所述电流扩展层与所述第二半导体层连接。

9.如权利要求8所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述环状支撑结构与所述凹槽的侧壁之间具有间隔；所述钝化层的部分填充所述间隔。

10.一种显示装置，其特征在于，包括：驱动电路，以及与所述驱动电路连接的发光单元；其中，

所述发光单元包括如权利要求1～6中任一项所述的发光二极管芯片。