[发明专利]一种集成电路、耗材芯片及MCU芯片在审
| 申请号： | 202111136265.0 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN113745191A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 王雄伟;康泽华;张虚谷 | 申请（专利权）人： | 珠海极海半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 焦志刚 |
| 地址： | 519060 广东省珠海市横琴新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 耗材 芯片 mcu | ||
1.一种集成电路，其特征在于，包括半导体衬底，所述半导体衬底包括：
第一区域，所述第一区域包括第一掺杂区；
第二区域，所述第二区域包括第二掺杂区；
深阱，所述深阱设置在所述半导体衬底中，且延伸至所述半导体衬底表面；所述深阱围绕所述第一区域；
其中，所述第一掺杂区与信号地、电源地中的一者电连接，所述第二掺杂区与信号地、电源地中的另一者电连接。
2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述半导体衬底包括第一刻缝和第二刻缝，所述第一刻缝与所述第二刻缝内均设置绝缘结构；
所述第一刻缝位于所述深阱与所述第一掺杂区之间，所述第二刻缝位于所述深阱与所述第二掺杂区之间。
3.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述半导体衬底为P型衬底，所述深阱为N阱。
4.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述半导体衬底为N型衬底，所述深阱为P阱。
5.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述信号地为模拟地、数字地中的至少一者。
6.根据权利要求5所述的集成电路，其特征在于，所述集成电路还包括共地控制电路，所述共地控制电路包括第一输入端；
其中，所述第一输入端与系统地电连接，所述第一掺杂区及所述第二掺杂区通过所述共地控制电路与所述系统地电连接。
7.根据权利要求6所述的集成电路，其特征在于，共地控制电路包括第一输出端和第二输出端，所述第一输出端与所述第一掺杂区电连接，所述第二输出端与所述第二掺杂区电连接；
所述第一输入端与所述第一输出端、所述第二输出端电导通时，所述第一掺杂区及所述第二掺杂区与所述系统地电连接。
8.根据权利要求7所述的集成电路，其特征在于，所述共地控制电路包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的源极与所述第一输出端电连接，所述第二晶体管的源极与所述第二输出端电连接；所述第一晶体管的漏极与所述第一输入端电连接，所述第二晶体管的漏极与所述第一输入端电连接。
9.根据权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述共地控制电路还包括第一电阻，所述第一电阻的一端与模拟信号电源电连接，所述第一电阻的另一端与所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的栅极电连接；
所述第一掺杂区与模拟地、电源地中的一者电连接，所述第二掺杂区与模拟地、电源地中的另一者电连接；
当模拟信号电源输出模拟信号时，所述第一输入端与所述第一输出端、所述第二输出端电导通。
10.一种耗材芯片，其特征在于，包括如权利要求1-9所述的任意一项集成电路。
11.一种MCU芯片，其特征在于，包括如权利要求1-9所述的任意一项集成电路。
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