[发明专利]用于顶取晶片的插销及顶取装置

权利要求书

1.一种用于顶取晶片的插销，所述插销(200)与分布在样品台(100)第一表面的晶片槽(110)内的销孔(120)活动配合，其特征在于：所述插销包括沿轴向依次设置的端面段(210)、斜面段(220)、第一直面段(230)及第二直面段(240)；

所述端面段(210)、斜面段(220)、第一直面段(230)及第二直面段(240)沿轴向方向的长度分别为L_a、L_b、L_c、L_d，其中，所述第一直面段(230)的直径D_c＝第二直面段(240)的直径D_d，且所述第二直面段(240)的直径D_d至少满足式1)，

所述端面段(210)的直径D_a至少满足式2)，所述端面段(210)的长度L_a至少满足式3)，

D_a＝D_d+δ 式2)

所述斜面段(210)的母线与自身轴线之间的夹角θ至少满足式4)，

Gcosθ＝f Gsinθ 式4)

所述斜面段(220)的轴线长度为L_b至少满足式5)：

其中，τ_p为插销的剪切极限应力，与插销材料有关，为常数；D₁为样品台的直径；L为插销位于销孔内时且未被顶取时，插销在位于销孔内部分的长度，且所述L＝L_a+L_b+L_c；P为驱使样品台旋转的第一电机的额定输出功率；N为样品台的转速；[n]为剪切应力许用安全系数，[n]的取值为1-2；δ的取值为1-2mm；M_e为用于顶取插销的第二电机的最大额定扭矩，D为插销位于销孔内时且未被顶取时，预顶取机构中第二电机的旋转轴中心线与插销第二直面段(240)底端面之间的直线距离，F为插销位于销孔内所承受的剪切力；A为端面段(210)的侧面积；G为插销的重力，f为插销与销孔之间的摩擦系数。

2.根据权利要求1所述的插销，其特征在于：所述端面段(210)、第一直线段(230)和第二直线段(240)均为圆柱形结构，所述斜面段(220)为圆台形结构。

3.根据权利要求2所述的插销，其特征在于：所述斜面段(220)靠近端面端(210)部分的直径大于靠近第一直面段(230)部分的直径。

4.根据权利要求1所述的插销，其特征在于：所述第二直线段(240)的长度Ld为插销(200)的最大顶升高度。

5.根据权利要求1所述的插销，其特征在于：所述端面段(210)、斜面段(220)、第一直线段(230)和第二直线段(240)同轴设置。

6.一种用于晶片传递的自动化顶取装置，其特征在于包括：

权利要求1-5中任一项所述的用于顶取晶片的插销(200)；以及

预顶取机构(400)，所述预顶取机构(400)用于顶推所述插销(200)，以将晶片顶起至取片所需高度。

7.根据权利要求6所述的自动化顶取装置，其特征在于：所述预顶取机构(400)包括第二电机(410)和凸轮(430)，所述凸轮(430)与所述第二电机(410)的旋转轴固定连接，且所述插销的第二直面段(240)位于所述凸轮(430)的旋转运动轨迹上。

8.根据权利要求7所述的自动化顶取装置，其特征在于：所述凸轮(430)与所述第二电机(410)的旋转轴偏心设置。