[发明专利]压电谐振器及其制作方法

权利要求书

1.一种压电谐振器，其特征在于，包括：

底电极；

压电层，所述压电层叠设于所述底电极之上；

顶电极，所述顶电极叠设于所述压电层远离所述底电极的一侧；

声波反射层结构，所述声波反射层结构形成于所述底电极远离所述压电层的一侧；以及，

顶电极引出结构，所述顶电极引出结构位于所述压电层远离所述底电极的一侧；

所述底电极、所述压电层、所述顶电极以及所述声波反射层结构共同交叠重合形成的空间区域定义为谐振区；所述顶电极引出结构于所述谐振区内与所述顶电极相连，并由所述谐振区内延伸至所述谐振区外，且所述顶电极引出结构与所述顶电极向所述压电层的正投影部分交叠。

2.根据权利要求1所述的压电谐振器，其特征在于，所述顶电极引出结构包括至少部分位于所述谐振区内并叠设于所述顶电极远离所述压电层一侧以形成电连接的电极连接端、由所述电极连接端朝远离所述顶电极延伸至所述谐振区外的桥结构以及由所述桥结构延伸并连接到外部电路或信号线的引出端；所述顶电极引出结构通过所述电极连接端与所述顶电极连接。

3.根据权利要求2所述的压电谐振器，其特征在于，所述桥结构与所述压电层间隔形成第一空气间隙，和/或所述桥结构与所述顶电极间隔形成第二空气间隙。

4.根据权利要求1所述的压电谐振器，其特征在于，所述压电谐振器还包括支撑于所述底电极远离所述顶电极一侧的衬底，所述声波反射层结构为由所述衬底靠近所述底电极的一侧凹陷形成的空腔，所述空腔至少部分位于所述谐振区内。

5.根据权利要求4所述的压电谐振器，其特征在于，所述底电极完全覆盖所述空腔。

6.根据权利要求1所述的压电谐振器，其特征在于，所述声波反射层结构为叠设于所述底电极远离所述顶电极一侧且至少部分位于所述谐振区内的声反射镜。

7.根据权利要求3所述的压电谐振器，其特征在于，所述压电层形成有缺陷区，所述缺陷区形成于所述压电层与所述底电极的边缘相抵接的部分区域并过渡到所述底电极外的部分区域内。

8.根据权利要求7所述的压电谐振器，其特征在于，所述第一空气间隙和所述第二空气间隙向所述压电层的正投影完全覆盖所述缺陷区，以防止所述顶电极引出结构和所述压电层的所述缺陷区接触。

9.根据权利要求3所述的压电谐振器，其特征在于，所述第一空气间隙和/或所述第二空气间隙内填充有用于反射声波和/或隔离绝缘的功能材料。

10.根据权利要求9所述的压电谐振器，其特征在于，所述功能材料为AlN、SiO₂、SiN、Si、SiC、Al₂O₃中的至少一种。

11.根据权利要求1所述的压电谐振器，其特征在于，所述压电谐振器还包括钝化层，所述钝化层叠设于所述顶电极远离所述压电层的一侧，且至少部分覆盖所述顶电极。

12.根据权利要求1所述的压电谐振器，其特征在于，所述压电谐振器还包括形成于所述顶电极远离所述压电层一侧的可以造成声阻抗失配的质量负载，所述质量负载与所述顶电极分别向所述压电层的正投影至少部分交叠。

13.根据权利要求11所述的压电谐振器，其特征在于，所述压电谐振器还包括形成于所述钝化层远离所述压电层一侧的以造成声阻抗失配的质量负载，所述质量负载与所述顶电极分别向所述压电层的正投影至少部分交叠。

14.根据权利要求12或13所述的压电谐振器，其特征在于，所述质量负载设置于所述顶电极边缘，且至少部分位于所述谐振区内。