[发明专利]一种磁电耦合型电磁屏蔽薄膜及制备方法和应用

权利要求书

1.一种三元复合导电填料，其特征在于，由磁性Fe₃O₄纳米粒子负载于银纳米线插层石墨烯复合材料表面得到；所述银纳米线插层石墨烯复合材料由石墨烯纳米片以及在所述石墨烯纳米片之间插层的核壳复合材料组成；所述核壳复合材料由一维银纳米线以及在所述一维银纳米线表面包覆的聚多巴胺组成。

2.一种磁电耦合型电磁屏蔽薄膜，其特征在于，由浆料流延、干燥得到，所述浆料包括权利要求1所述三元复合导电填料、聚乙烯醇和水；所述银纳米线插层石墨烯复合填料与所述聚乙烯醇的质量比≤50％，所述聚乙烯醇与所述去离子水中的质量比为5％～15％。

3.根据权利要求2所述磁电耦合型电磁屏蔽薄膜，其特征在于，所述聚乙烯醇的分子量为10000～200000，醇解度≥98％。

4.一种如权利要求2或3所述磁电耦合型电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

(1)向Tris-HCl缓冲液中加入银纳米线并搅拌均匀，然后加入盐酸多巴胺在避光环境下反应，得到混合溶液；

(2)向上述混合溶液中加入石墨烯纳米片，继续反应，然后经过离心分离出沉淀物，将所述沉淀物经过洗涤、烘干处理得到银纳米线插层石墨烯复合填料；

(3)将上述银纳米线插层石墨烯复合填料与磁性Fe₃O₄纳米粒子加入至去离子水中经进行超声处理，经过滤、干燥得到三元复合导电填料；

(4)将上述三元复合导电填料和聚乙烯醇加入至去离子水中，搅拌条件下反应至聚乙烯醇完全溶解得到浆料，所述浆料经过流延、干燥得到所述磁电耦合型电磁屏蔽薄膜。

5.根据权利要求4所述磁电耦合型电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述Tris-HCl缓冲液的PH为8.0～9.0，所述银纳米线、所述盐酸多巴胺和所述Tris-HCl缓冲液的质量比为1：(20～50)：2000；所述搅拌转速为200～500r/min；所述反应的时间为5h，所述反应的温度为15～35℃。

6.根据权利要求4所述磁电耦合型电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述石墨烯纳米片与所述盐酸多巴胺质量比为(1～3)：(2～5)。

7.根据权利要求4或6所述磁电耦合型电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述反应在避光条件下进行，所述反应的温度为15～35℃，所述反应的时间为1h；所述离心转速大于3000rpm；所述洗涤的次数为5～8次；所述烘干的温度为60～80℃。

8.根据权利要求4所述磁电耦合型电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述银纳米线插层石墨烯复合填料、磁性Fe₃O₄纳米粒子与所述去离子水的质量比为1：2：(100～400)；

所述超声的时间为1～2h，所述超声的功率为500W；

所述过滤使用的滤膜孔径为0.45μm；所述干燥温度为60～80℃。

9.根据权利要求4所述磁电耦合型电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(4)中所述三元复合导电填料、所述聚乙烯醇和所述去离子水的质量比为(2～5)：10：100；所述反应的温度为70～90℃，转速＜100r/min，时间为1～2h；所述流延的温度为70～80℃；所述干燥的温度为40～50℃。

10.一种如权利要求2或3所述磁电耦合型电磁屏蔽薄膜在柔性电磁屏蔽中的应用。