[发明专利]S型异质结的Bismuthene/CsPbBr3

权利要求书

1.一种S型异质结的Bismuthene/CsPbBr₃量子点复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

A1.将铋烯溶于十八烯中，在室温下混合均匀形成铋烯分散液；

A2.将PbBr₂溶于十八烯中，在惰性气体保护下升温后，分别加入油酸和油胺，保温至PbBr₂完全溶解，得到前驱体溶液；

A3.将步骤A1得到的铋烯分散液加入步骤A2得到的前驱体溶液中，升温后加入乙酸铯，保温至反应完全，然后冷却后，得到Bismuthene/CsPbBr₃量子复合材料的溶液；

A4.将步骤A3得到的Bismuthene/CsPbBr₃量子复合材料的溶液离心、洗涤，得到Bismuthene/CsPbBr₃量子点复合材料；

其中步骤A1和步骤A2不分先后。

2.根据权利要求1所述的一种S型异质结的Bismuthene/CsPbBr₃量子点复合材料的制备方法，其特征在于，步骤A1中铋烯的制备方法包括以下步骤：

B1.将聚偏氟乙烯溶于N-N二甲基吡咯烷酮溶剂中，超声处理，形成均匀的分散液；

B2.将金属铋粉与步骤B1得到的分散液混合，球磨后得到混合液；

B3.将步骤B2得到的混合液采用差速离心处理，得到铋烯。

3.根据权利要求2所述的一种S型异质结的Bismuthene/CsPbBr₃量子点复合材料的制备方法，其特征在于：步骤B1中，聚偏氟乙烯的质量分数为5％-20％；步骤B2中金属铋粉和步骤B1得到的分散液的质量比为1：5-50，球磨后获得的二维铋烯材料的尺寸在100nm至5μm之间；步骤B3中首先采用转速为500-5000rpm，时间为15-30min的离心处理，然后采用转速为8000-10000rpm，时间为5-10min的离心处理，以N-N二甲基吡咯烷酮为溶剂反复洗涤。

4.根据权利要求1所述的一种S型异质结的Bismuthene/CsPbBr₃量子点复合材料的制备方法，其特征在于：步骤A1中的铋烯分散液的浓度为2-8mg/mL。

5.根据权利要求1所述的一种S型异质结的Bismuthene/CsPbBr₃量子点复合材料的制备方法，其特征在于：步骤A2中惰性气体为氩气，升温至温度为110-130℃，PbBr₂、十八烯、油酸和油胺的比例为2-4mmol：15-30mL：1-3mL：1-3mL。

6.根据权利要求1所述的一种S型异质结的Bismuthene/CsPbBr₃量子点复合材料的制备方法，其特征在于：步骤A3中升温至温度为160-175℃，加入的乙酸铯与PbBr₂的摩尔比为1-6：10，反应时间为4-8s，冷却至20-40℃。

7.根据权利要求1所述的一种S型异质结的Bismuthene/CsPbBr₃量子点复合材料的制备方法，其特征在于：步骤A4中采用的离心、洗涤的溶剂为正己烷和叔丁醇，离心转速为7500-10000rpm，洗涤2-3次，每次洗涤时间为3-8min。

8.一种S型异质结的Bismuthene/CsPbBr₃量子点复合材料，采用如权利要求1至7中任一项所述的S型异质结的Bismuthene/CsPbBr₃量子点复合材料的制备方法制得。

9.根据权利要求8所述的一种S型异质结的Bismuthene/CsPbBr₃量子点复合材料，其特征在于：Bismuthene/CsPbBr₃量子点复合材料中，铋烯的质量分数为10％-20％。

10.一种根据权利要求1-7中任一项所述制备方法制备的或权利要求8或9所述的S型异质结的Bismuthene/CsPbBr₃量子点复合材料在高效光催化还原CO₂或光催化分解水产氢或光催化降解有机污染物中的应用。