[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供包括沟槽的基底，于所述沟槽内形成栅极结构，所述栅极结构的顶面低于所述沟槽的顶面；

形成第一刻蚀阻挡层，所述第一刻蚀阻挡层覆盖所述栅极结构的顶面、所述沟槽的部分侧壁及所述基底的上表面；

于所述沟槽内第一刻蚀阻挡层的上表面形成覆盖绝缘层，所述覆盖绝缘层与位于所述沟槽侧壁上的所述第一刻蚀阻挡层之间形成间隙；

至少于所述间隙的顶部形成封口层，以在所述覆盖绝缘层的两侧形成空气间隙。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述间隙的步骤包括：

形成牺牲层于所述沟槽内，所述牺牲层位于所述第一刻蚀阻挡层的侧壁上；

形成所述覆盖绝缘层于所述牺牲层之间，以填满所述沟槽；

移除所述牺牲层，以形成所述间隙。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述牺牲层的步骤包括：

形成牺牲材料层，所述牺牲材料层覆盖所述第一刻蚀阻挡层；

移除位于所述沟槽底部及所述沟槽外部所述第一刻蚀阻挡层的上表面的所述牺牲材料层，保留的所述牺牲材料层形成所述牺牲层。

4.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述牺牲层。

5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成包括沟槽的基底的步骤包括：

提供衬底；

于所述衬底的上表面依次形成第二刻蚀阻挡层、掩膜层及图形化光刻胶层，所述图形化光刻胶层内形成有用于定义所述沟槽的形状及位置的开口图形；

基于所述图形化光刻胶层刻蚀所述掩膜层、所述第二刻蚀阻挡层；

基于刻蚀后的所述掩膜层及所述第二刻蚀阻挡层刻蚀所述衬底，以形成所述沟槽。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述掩膜层包括依次叠置的第一掩膜层与第二掩膜层，其中，所述第一掩膜层与所述第二刻蚀阻挡层相邻。

7.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述栅极结构的步骤包括：

至少于所述沟槽的侧壁及底部形成栅氧化材料层；

形成第一导电材料层，所述第一导电材料层覆盖所述栅氧化材料层；

形成主导电材料层，所述主导电材料层位于所述第一导电材料层上，以填满所述沟槽；

移除部分栅氧化材料层、部分所述主导电材料层和部分所述第一导电材料层，以形成所述栅极结构。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：

保留的所述栅氧化材料层形成栅氧化层；

保留的所述第一导电材料层形成第一导电层；

保留的所述主导电材料层形成主导电层。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：

所述第一导电层的顶面低于所述主导电层的顶面；

所述主导电层的顶面低于所述栅氧化层的顶面。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述栅氧化层的顶面与所述沟槽的顶面齐平。

11.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：

所述栅氧化层的厚度为1nm-10nm；及/或

所述第一导电层的厚度为1nm-10nm。

12.根据权利要求1-4任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：

所述空气间隙在所述基底的上表面的正投影的长度为5nm-20nm；及/或

所述第一刻蚀阻挡层的厚度为5nm-20nm。