[发明专利]量子点基板的制作方法及量子点基板有效
申请号: | 202111127939.0 | 申请日: | 2021-09-26 |
公开(公告)号: | CN113871555B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 石志清 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H10K71/12 | 分类号: | H10K71/12;H10K71/15;H10K59/121;C25D13/12;C25D13/22 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄锐 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子 点基板 制作方法 | ||
1.一种量子点基板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
在第一电极和第二电极之间添加具有量子点材料的量子点溶液;
对所述第一电极和所述第二电极施加电压,使得所述第一电极和所述第二电极之间形成电场;
改变所述电场的电场强度,使得所述量子点材料在至少两种电场强度的所述电场下沉积于所述第一电极,从而在所述第一电极上形成量子点材料层;
所述改变所述电场的电场强度,使得所述量子点材料在至少两种电场强度的所述电场下沉积于所述第一电极的步骤具体为:
交替改变所述电场的电场强度,使得所述电场的电场强度在第一电场强度和第二电场强度之间切换,所述第一电场强度小于所述第二电场强度。
2.根据权利要求1所述的量子点基板的制作方法,其特征在于,所述第一电场强度为5×105伏/米~1.5×107伏/米,所述第二电场强度为5×106伏/米~4×107伏/米。
3.根据权利要求1所述的量子点基板的制作方法,其特征在于,施加所述电场的总时间为1秒~3600秒,电场强度为所述第二电场强度的所述电场的施加总时间小于施加所述电场的总时间,电场强度为所述第二电场强度的所述电场的施加总时间大于0秒且小于600秒。
4.根据权利要求1~3任一项所述的量子点基板的制作方法,其特征在于,所述在第一电极和第二电极之间添加具有量子点材料的量子点溶液的步骤具体包括:
提供第一基板和第二基板,所述第一基板的一侧设有多个凹槽,所述凹槽的底部设有所述第一电极,所述第二基板的一侧设有所述第二电极;
在所述第一基板或所述第二基板上布置框胶;
在所述框胶的内侧添加量子点溶液;
通过所述框胶将所述第一基板和所述第二基板粘接在一起,所述第一基板、所述第二基板和所述框胶围合形成反应腔,所述反应腔内设有所述第一电极、所述第二电极和所述量子点溶液。
5.根据权利要求4所述的量子点基板的制作方法,其特征在于,所述第一基板埋设有与所述第一电极电性连接的线路层,所述在第一电极和第二电极之间添加具有量子点材料的量子点溶液的步骤还包括:切除所述第一基板对应所述框胶的外侧区域,露出所述线路层;
对所述第一电极施加电压的步骤为:通过所述线路层对所述第一电极施加电压。
6.根据权利要求5所述的量子点基板的制作方法,其特征在于,所述提供第一基板的步骤具体包括:
在第一衬底上形成线路层;
在所述第一衬底的设有所述线路层的一侧形成挡墙,所述挡墙围合出多个所述凹槽;
在所述凹槽内形成所述第一电极,所述第一电极电性连接于所述线路层,从而得到所述第一基板。
7.根据权利要求6所述的量子点基板的制作方法,其特征在于,所述线路层包括多个走线,一个或多个所述第一电极电性连接于同一所述走线。
8.根据权利要求6所述的量子点基板的制作方法,其特征在于,所述线路层包括扫描线、与所述扫描线绝缘且相交设置的数据线以及设于所述扫描线和数据线相交处的薄膜晶体管,所述扫描线电性连接于所述薄膜晶体管的栅极,所述数据线电性连接于所述薄膜晶体管的源极,所述第一电极电性连接于所述薄膜晶体管的漏极。
9.一种量子点基板,其特征在于,采用如权利要求1~8任一项所述的量子点基板的制作方法制得,所述量子点基板包括第一基板、设于所述第一基板上的第一电极以及设于所述第一电极上的量子点材料层。
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