[发明专利]一种基于薄膜晶体管的柔性透明浮栅存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于薄膜晶体管的柔性透明浮栅存储器，其特征在于，所述浮栅存储器为底栅顶接触结构，其包括依序层叠设置的柔性透明基底、柔性透明电荷俘获层、柔性透明有源层及柔性透明电极；

所述柔性透明基底包括依序层叠的衬底、栅电极和绝缘层；

所述柔性透明电荷俘获层包括依序层叠的浮栅层和隧穿层。

2.根据权利要求1所述的基于薄膜晶体管的柔性透明浮栅存储器，其特征在于，所述衬底为透明绝缘材料或在柔性材料中插入热固性基板形成混合衬底；可选用的透明绝缘材料包括但不限于PET、PI。

3.根据权利要求1所述的基于薄膜晶体管的柔性透明浮栅存储器，其特征在于，所述栅电极层由透明导电材料构成，可选用的透明导电材料包括但不限于导电共轭聚合物、碳基材料和金属纳米材料。

4.根据权利要求1所述的基于薄膜晶体管的柔性透明浮栅存储器，其特征在于，所述绝缘层所用材料由透明金属氧化绝缘材料或透明聚合物材料构成，其中可选用的透明聚合物材料包括但不限于PVP、PVA、PMMA。

5.根据权利要求4所述的基于薄膜晶体管的柔性透明浮栅存储器，其特征在于，所述浮栅层由一维纳米线材料、纳米金属颗粒、形成矩阵的量子点或形成矩阵的聚合物纳米颗粒材料构成。

6.根据权利要求1所述的基于薄膜晶体管的柔性透明浮栅存储器，其特征在于，所述隧穿层由透明聚合物材料构成，可选用的透明聚合物材料包括但不限于PVP、PVA、PMMA。

7.根据权利要求1所述的基于薄膜晶体管的柔性透明浮栅存储器，其特征在于，所述柔性透明有源层由有机小分子材料、有机共轭聚合物材料或者一种或两种共轭聚合物材料的混合物构成。

8.根据权利要求1所述的基于薄膜晶体管的柔性透明浮栅存储器，其特征在于，所述柔性透明电极由一维导电材料、导电聚合物材料或离子凝胶材料的混合物构成。

9.一种基于薄膜晶体管的柔性透明浮栅存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)将透明衬底用洗涤液清洗后，用去离子水冲洗多次后并吹干；

2)在透明衬底上制备栅电极；

3)将透明聚合物材料溶于有机溶剂中，材料溶解完全后将其涂覆于栅电极上并退火，制得绝缘层；或采用ALD方式在栅电极上沉积透明金属氧化绝缘材料，制得绝缘层；

4)将浮栅层用材料溶解于有机溶剂中，材料溶解完全后将其涂覆于绝缘层上并退火，制得浮栅层；

5)将隧穿层用材料溶解于有机溶剂中，材料溶解完全后将其涂覆于浮栅层上并退火，制得隧穿层；

6)将柔性透明有源层用材料溶解于有机溶剂中，材料溶解完全后将其涂覆于隧穿层上并退火，制得有源层；

7)最后在隧穿层上制备透明电极，制得上述基于薄膜晶体管的柔性透明浮栅存储器。

10.根据权利要求9所述的基于薄膜晶体管的柔性透明浮栅存储器的制备方法，其特征在于，涂覆方式包括但不限于旋涂/刮涂/印刷。