[发明专利]用于双重成像工艺的套刻精度的检测结构及其检测方法

权利要求书

1.一种用于双重成像工艺的套刻精度的检测结构，其特征在于，包括：基于不同光刻工艺形成的第一标记和第二标记，所述第一标记包括多个分散的独立图案，所述第二标记包括基于双重成像工艺形成的至少一个条形环状图案；所述条形环状图案包括沿着第一方向延伸的长边和位于端部的短边，并且在所述短边沿着第一方向的侧边设置有至少一个独立图案，在所述长边沿着第二方向的侧边设置有至少一个独立图案，所述第一方向和所述第二方向相互垂直；

其中，根据所述条形环状图案的长边沿着第二方向与独立图案的边界之间的距离得到第二方向上的套刻偏差，以及根据所述条形环状图案的短边沿着第一方向与独立图案的边界之间的距离得到第一方向上的套刻偏差。

2.如权利要求1所述的套刻精度的检测结构，其特征在于，所述独立图案为多边形图案、圆形图案或椭圆形图案。

3.如权利要求1所述的套刻精度的检测结构，其特征在于，在所述条形环状图案的短边沿第一方向的两侧均设置有至少一个独立图案；

其中，根据短边沿着第一方向至其中一侧的独立图案得到第一距离值，根据短边沿着第一方向至另一侧的独立图案得到第二距离值，并根据所述第一距离值和所述第二距离值的差值而得到第一方向上的套刻偏差。

4.如权利要求1所述的套刻精度的检测结构，其特征在于，多个条形环状图案和多个独立图案均布置在由第一方向和第二方向组成的平面内而构成检测结构；且多个所述条形环状图案关于所述检测结构沿第一方向的中心线对称布置；且一部分所述独立图案在所述条形环状图案的短边的两侧对称布置；

获取同一个所述条形环状图案中短边两侧的独立图案至所述短边的距离偏差值；将获得的每个所述条形环状图案中两条短边所对应的距离偏差值取平均值，以得到第一方向的套刻偏差。

5.如权利要求4所述的套刻精度的检测结构，其特征在于，还有一部分所述独立图案关于所述条形环状图案沿第一方向的中心线对称布置在所述条形环状图案的长边外侧；

获取在同一个所述条形环状图案的长边外侧对称设置的两个独立图案至对应的长边的距离偏差值；将获得的每对对称设置的独立图案所对应的距离偏差值取平均值，以得到第二方向的套刻偏差。

6.如权利要求1所述的套刻精度的检测结构，其特征在于，所述条形环状图案的内环宽度和所述独立图案的沿着第二方向的宽度相同。

7.如权利要求1所述的套刻精度的检测结构，其特征在于，所述第一标记形成在一预定膜层内，所述第二标记形成在所述预定膜层的上方。

8.一种采用权利要求1-7任一项所述的检测结构的检测方法，其特征在于，包括：

测量所述条形环状图案的长边沿着第二方向与独立图案的边界之间的距离，以得到第二方向上的套刻偏差；以及，测量所述条形环状图案的短边沿着第一方向与独立图案的边界之间的距离，以得到第一方向上的套刻偏差。

9.如权利要求8所述的检测方法，其特征在于，测量所述条形环状图案的短边沿着第一方向与独立图案的边界之间的距离，以得到第一方向上的套刻偏差的步骤包括：

测量所述短边沿着第一方向至其中一侧的独立图案得到第一距离值，测量所述短边沿着第一方向至另一侧的独立图案得到第二距离值，并根据所述第一距离值和所述第二距离值的差值而得到第一方向上的套刻偏差。

10.如权利要求9所述的双重成像工艺的套刻精度的检测方法，其特征在于，根据所述第一距离值和所述第二距离值的差值而得到第一方向上的套刻偏差的步骤包括：

获取同一个所述条形环状图案中短边两侧的独立图案至所述短边的距离偏差值；将获得的每个所述条形环状图案中两条短边所对应的距离偏差值取平均值，以得到第一方向的套刻偏差。