[发明专利]稀土掺杂氢氧化物纳米片溶胶、稀土掺杂氢氧化物纳米片发光膜和可穿戴OLED

权利要求书

1.一种稀土掺杂氢氧化物纳米片溶胶，其特征在于，通过以下步骤制备获得：

S1，将稀土组分配制成稀土前驱体溶液；

所述稀土组分，按摩尔百分比计算，包括95～99.8%的主体稀土氧化物和0.2～5%的客体稀土氧化物，或包括95～99.8%的主体稀土盐和0.2～5%的客体稀土盐；

且所述稀土组分中，主体稀土元素和客体稀土元素互不相同；

S2，使用pH调节剂调节稀土前驱体溶液至pH=6～7，得到稀土共聚物；

S3，将稀土共聚物在90～150℃下加热处理12～24h，后冷却，收集沉淀，得到层状稀土氢氧化物；

S4，将层状稀土氢氧化物与非极性溶剂混合，得到稀土掺杂氢氧化物纳米片溶胶；

步骤S2调节pH后或步骤S3加热处理后，还加入插层剂。

2.根据权利要求1所述的稀土掺杂氢氧化物纳米片溶胶，其特征在于，所述插层剂为苯甲酸钠或十二烷基苯磺酸钠或十二烷基磺酸钠。

3.根据权利要求1所述的稀土掺杂氢氧化物纳米片溶胶，其特征在于，步骤S4中，非极性溶剂为正丁醇或甲酰胺。

4.根据权利要求1所述的稀土掺杂氢氧化物纳米片溶胶，其特征在于，步骤S4中，通过超声处理或搅拌的方式得到稀土掺杂氢氧化物纳米片溶胶。

5.根据权利要求4所述的稀土掺杂氢氧化物纳米片溶胶，其特征在于，所述超声处理的功率为800～1200W，时间为20～40min；

所述搅拌的转速为500～700r/min，时间为48～72h。

6.一种稀土掺杂氢氧化物纳米片发光膜，其特征在于，由权利要求1-5任一所述稀土掺杂氢氧化物纳米片溶胶沉积到基板上形成。

7.根据权利要求6所述的稀土掺杂氢氧化物纳米片发光膜，其特征在于，所述基板为玻璃或金属板。

8.根据权利要求6所述的稀土掺杂氢氧化物纳米片发光膜，其特征在于，沉积方式为电沉积、提拉、旋涂和自组装中的任意一种。

9.一种可穿戴OLED，其特征在于，包括权利要求6所述的稀土掺杂氢氧化物纳米片发光膜。

10.根据权利要求9所述的可穿戴OLED，其特征在于，还包括包覆在所述稀土掺杂氢氧化物纳米片发光膜外侧的薄膜封装。