[发明专利]一种基于IPD技术的小型化高性能双工器

权利要求书

1.一种基于IPD技术的小型化高性能双工器，其特征在于包括：

介质层（2）；

金属层（1）；

接地底板（3），位于介质层（2）的下表面；

贯穿介质层（2）的接地过孔，用于连接金属层（1）和接地底板（3）；

主体电路，位于金属层（1）上；

输入输出端口；

其中，所述主体电路包括高通带通路、低通带通路；

所述高通带通路包括第一串联电容（6）、第一并联电感（7）、第一并联电容（8）、第二串联电容（9），第一串联电容（6）的一端接输入端口（5-1），第一串联电容（6）的另一端接第一并联电感（7）的一端、第二串联电容（9）的一端，第一并联电感（7）的另一端接第一并联电容（8）的一端，第一并联电容（8）的另一端通过接地过孔连接接地底板（3），第二串联电容（9）的另一端接输出端口第一信号接出端（5-2）；

所述低通带通路包括第一串联电感（10）、第二并联电容（11）、第二并联电感（12）、第二串联电感（13）、第三并联电容（14），第一串联电感（10）的一端接输入端口（5-1），第一串联电感（10）的另一端接第二并联电容（11）的一端、第二串联电感（13）的一端，第二并联电容（11）的另一端接第二并联电感（12）的一端，第二并联电感（12）的另一端通过接地过孔连接接地底板（3），第二串联电感（13）的另一端与第三并联电容（14）的一端连接后接输出端口第二信号接出端（5-3），第三并联电容（14）的另一端通过接地过孔连接接地底板（3）；

所述第一串联电感（10）采用螺旋电感，其线宽由外至内逐级变窄，间距由外至内逐级变宽。

2.如权利要求1所述的一种基于IPD技术的小型化高性能双工器，其特征在于介质层（2）采用多级介质层，包括从下至上的第一介质层（2-1）、第二介质层（2-2）、第三介质层（2-3）、第四介质层（2-4）、第五介质层（2-5）、第六介质层（2-6）；金属层（1）包括从下至上的第一金属层（1-1）、第二金属层（1-2）、第三金属层（1-3）；第一金属层（1-1）位于第二介质层（2-2）、第三介质层（2-3）间，第二金属层（1-2）位于第三介质层（2-3）、第四介质层（2-4）间，第三金属层（1-3）位于第五介质层（2-5）、第六介质层（2-6）间。

3.如权利要求2所述的一种基于IPD技术的小型化高性能双工器，其特征在于所述第一介质层（2-1）的材质采用GaAs、Si或玻璃半导体。

4.如权利要求2所述的一种基于IPD技术的小型化高性能双工器，其特征在于所述第四介质层（2-4）、第五介质层（2-5）采用氮化硅或碳氮化硅；所述第二介质层（2-2）、第三介质层（2-3）、第六介质层（2-6）采用氮化硅或BCB。

5.如权利要求1所述的一种基于IPD技术的小型化高性能双工器，其特征在于第一并联电感（7）、第二并联电感（12）、第二串联电感（13）采用螺旋电感。

6.如权利要求5所述的一种基于IPD技术的小型化高性能双工器，其特征在于第一并联电感（7）、第二并联电感（12）、第二串联电感（13）线宽由外至内逐级变窄，间距由外至内逐级变宽。

7.如权利要求1或5所述的一种基于IPD技术的小型化高性能双工器，其特征在于螺旋电感的形状包括且不仅限于圆形、椭圆形、矩形、六边形、八边形。

8.如权利要求1所述的一种基于IPD技术的小型化高性能双工器，其特征在于电容包括且不仅限于平行板结构，交指型结构，分形结构。