[发明专利]闪存的擦写能力测试方法、装置、计算机设备和存储介质

说明书

本申请涉及一种闪存的擦写能力测试方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：从闪存的各个块中筛选出若干个待测试的目标块和循环擦写总次数，根据循环擦写总次数确定在单个内循环过程中对目标块进行擦写的预设内循环擦写次数和预设外循环次数，其中循环擦写总次数为预设内循环擦写次数和预设外循环次数的乘积，根据预设内循环擦写次数和预设外循环次数轮询写入至少两种预设的数据模式对目标块进行循环擦写操作，生成目标块在执行所述循环擦写操作后对应的擦写能力测试结果。上述技术方案能够提高闪存的擦写能力测试结果的准确率，更加准确预估闪存的寿命。

技术领域

本申请涉及存储技术领域，特别是涉及一种闪存的擦写能力测试方法、装置、计算机设备和存储介质。

背景技术

NAND Flash是非易失性存储器，其具有尺寸小，操作速度快，编程电压低，抗擦写能力强，保持时间久等特点，目前广泛应用于各种存储场合。

NAND Flash由许多块(block)构成，每个块又由若干页(page)组成。NAND flash可以进行擦除、写入和读取操作。在使用过程中，NAND Flash每一次擦除/写入操作会减少自身的寿命，block在使用过一段时间后其保存电荷的能力将逐渐削弱，并因被不停地擦除/写入操作而耗尽而使得存储单元的性能衰退，block所存储的数据就会出错，无法被可靠地继续使用。因此，在NAND Flash出厂前进行损耗测试并给出NAND Flash的寿命值是非常有必要的。

在相关技术中，通常采用以下两种方式对NAND Flash进行寿命预估，第一种方式采用单一数据模式(pattern)记录法，从整个NAND block库里面对选中的块有序进行频繁擦写动作，写的数据模式是固定值，例如0x00，擦写若干次后擦写能力测试结束，读取block错误比特值，根据block错误比特值从而对NAND Flash寿命进行预估。第二种方式是采用双pattern记录法，从整个NAND block库里面对选中的块有序进行频繁擦写动作，写的pattern不是固定值，以NAND Flash的MLC(Multi-Level Cell，多层单元)闪存类型为例，会根据页的类型，如pageA和pageB写入不同的数据模式，保证达到最大的电压跳变，擦写若干次后，擦写能力测试结束，读取block错误比特值，从而对NAND Flash寿命进行预估。然而，不管是单一数据模式的测试还是双数据模式的测试均没有考虑时间的问题，即需要测试的所有块并不能够同时结果测试，使得测试结果不够准确。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够提高闪存的擦写能力测试结果，准确的预估闪存的寿命的闪存的擦写能力测试方法、装置、计算机设备和存储介质。

第一方面，本申请提供一种闪存的擦写能力测试方法，所述方法包括：

从所述闪存的各个块中筛选出若干个待测试的目标块，根据所述目标块的块擦写承受阈值确定所述擦写能力测试的循环擦写总次数；

根据所述循环擦写总次数确定在单个内循环过程中对所述目标块进行擦写的预设内循环擦写次数和预设外循环次数，其中，所述循环擦写总次数为预设内循环擦写次数和预设外循环次数的乘积；

根据所述预设内循环擦写次数和所述预设外循环次数轮询写入至少两种预设的数据模式对所述目标块进行循环擦写操作；

生成所述目标块在执行所述循环擦写操作后对应的擦写能力测试结果。

在一种可能的实现方式中，所述根据所述预设内循环擦写次数和所述预设外循环次数轮询写入至少两种预设的数据模式对所述目标块进行循环擦写操作的步骤包括：

确定在内循环过程中当前内循环擦写操作的次序；

根据当前内循环擦写操作的次序从预设的若干种数据模式中确定当前内循环擦写所执行的当前数据模式；