[发明专利]非易失性存储器及其操作方法

说明书

本申请公开了一种非易失性存储器以及非易失性存储器的操作方法，非易失性存储器包括多个存储单元以及与多个存储单元连接的未选择的字线，该方法包括：向未选择的字线施加以第一斜率升高的第一电压，以对未选择的字线进行充电；以及响应于第一电压升高至预定电压，停止向未选择的字线施加第一电压，其中，预定电压大于与未选择的字线连接的多个存储单元的导通电压。

分案申请声明

本申请是2020年12月7日递交的发明名称为“非易失性存储器及其读取方法”、申请号为202011419073.6的中国发明专利申请的分案申请。

技术领域

本公开涉及非易失性存储器以及对非易失性存储器执行读取、验证操作的方法。

背景技术

非易失性半导体存储器被广泛地用于蜂窝电话、数字相机、个人数字助理、移动计算设备、非移动计算设备以及其他设备中。非易失性存储器在突然断电或关闭电源时仍会保留数据。闪存是目前应用较为广泛的一种非易失性存储器。为了进一步提高闪存设备的位密度以及降低其成本，开发出了三维(3D)闪存存储器。

以非易失性存储器为例，在执行编程(写入)操作时，电子将通过FN遂穿的模式，在存储单元的沟道和浮栅间移动。电子进入浮栅后，如果未重新获得足以穿过隧穿层的能量，则将被限制在浮栅内，从而浮栅可以实现存储电荷的作用。在执行编程验证(读取)操作时，通过将所需的电压提供到相应存储单元的字线，可判断浮栅上电荷的多少，从而判断存储器所存储的状态。然而，在此类操作中，例如当在读取操作期间向未选择字线提供电压以期望未选择字线升高至导通电压时，可能由于所提供的电压的大小或时长而导致未选择字线升高至导通电压的速度过慢，从而无法正确地执行所述读取或验证操作。

发明内容

本申请的实施方式旨在提供一种非易失性存储器，所述非易失性存储器能够在读取操作期间使未选择字线上的电压快速地上升至导通电压。

此外，本申请的实施方式旨在提供一种对非易失性存储器执行读取操作的方法，以使未选择字线上的电压在读取操作期间有效地上升。

根据本公开的一个方面，一种对非易失性存储器执行读取操作的方法，非易失性存储器包括多个存储单元以及分别与其连接的多条字线，其中，通过选择多个字线中的至少一条字线对相应的存储单元进行读取操作，该方法包括：向多条字线中的未选择的字线施加以第一斜率升高的第一电压，以对未选择的字线进行充电，使得未选择的字线上的第二电压以第二斜率升高，第一斜率大于第二斜率；以及响应于第一电压升高至预定电压，停止向未选择的字线施加第一电压，其中，预定电压大于使与未选择的字线连接的存储单元导通的导通电压，并且第二电压不大于导通电压。

在实施方式中，当所述第一电压升高至所述预定电压时，所述未选择的字线上的第二电压大于所述导通电压的85％

在实施方式中，所述非易失性存储器还包括包含有比较器的第一驱动电路。向所述多条字线中的未选择的字线施加以第一斜率升高的第一电压可以包括：向所述比较器输入随时间升高的斜升电压和被提升的驱动电压，以使得所述比较器输出脉冲信号；以及基于所述脉冲信号确定是否将所述第一电压施加到所述未选择的字线。

在实施方式中，当所述斜升电压小于所述被提升的驱动电压时，所述脉冲信号的电平为高，否则所述脉冲信号的电平为低。

在实施方式中，所述被提升的驱动电压为7V。

在实施方式中，在所述第一电压升高至所述预定电压之前，所述斜升电压小于所述驱动电压；以及在所述第一电压升高至所述预定电压之后，所述斜升电压大于所述驱动电压。