[发明专利]显示面板和电子设备在审
申请号: | 202111121480.3 | 申请日: | 2021-09-24 |
公开(公告)号: | CN114256311A | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 赵成民;崔凡洛;安致旭;任忠烈;崔洛初 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 严芬;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 电子设备 | ||
1.一种显示面板,包括:
在基板上的第一像素电路和第二像素电路,所述第一像素电路和所述第二像素电路中的每一个包括晶体管、存储电容器和导线;
电耦接到所述第一像素电路的第一像素电极;
与所述第一像素电极相邻并且电耦接到所述第二像素电路的第二像素电极;
像素限定层,覆盖所述第一像素电极的边缘和所述第二像素电极的边缘,并且具有分别与所述第一像素电极和所述第二像素电极重叠的开口;
在所述第一像素电极上的第一发射层;
在所述第二像素电极上的第二发射层;
在所述第一发射层和所述第二发射层上的对电极;以及
在所述对电极上的抗反射层,
其中所述抗反射层包括:
挡光部分,与所述像素限定层的与所述第一像素电极重叠的所述开口和所述像素限定层的与所述第二像素电极重叠的所述开口之间的区域相对应;
与所述第一发射层重叠的第一滤色器;
与所述第二发射层重叠的第二滤色器;和
保护层,包括位于所述第一滤色器和所述第二滤色器中的至少一个与所述挡光部分之间的分隔空间中的部分。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中所述保护层的所述部分与所述像素限定层重叠,并且所述保护层和所述像素限定层中的每一个包括透明有机绝缘材料。
3.根据权利要求1所述的显示面板,进一步包括:
在所述对电极和所述抗反射层之间的输入感测层,
其中所述保护层的所述部分与所述输入感测层的上表面直接接触,
其中所述输入感测层包括触摸电极,所述触摸电极包括与所述挡光部分重叠的金属线,
其中所述输入感测层进一步包括在所述金属线和所述挡光部分之间的触摸绝缘层,所述触摸绝缘层包括无机绝缘材料,并且
其中所述金属线的宽度小于所述挡光部分的宽度。
4.根据权利要求1所述的显示面板,进一步包括:
在所述基板和所述像素限定层之间的多个绝缘层,
其中在所述基板的顶表面和所述像素限定层的顶表面之间的堆叠部与所述保护层的所述部分重叠,所述堆叠部包括所述多个绝缘层和所述像素限定层。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示面板,进一步包括:
第一发光二极管,包括所述第一像素电极、所述第一发射层和所述对电极,
其中在平面图中,所述分隔空间至少部分地围绕所述第一发光二极管的发射区域。
6.一种电子设备,包括:
包括第一显示区域和第二显示区域的显示面板;和
与所述显示面板的所述第二显示区域重叠的部件,
其中所述显示面板的所述第二显示区域包括:
基板;
在所述基板上彼此相邻的第一发光二极管和第二发光二极管;
像素限定层,覆盖所述第一发光二极管中的第一像素电极的边缘和所述第二发光二极管中的第二像素电极的边缘,所述像素限定层具有分别与所述第一像素电极和所述第二像素电极重叠的开口;
在所述第一发光二极管和所述第二发光二极管上的封装层;和
在所述封装层上的抗反射层,
其中所述抗反射层包括:
挡光部分,在平面图中在所述像素限定层的与所述第一像素电极重叠的所述开口和所述像素限定层的与所述第二像素电极重叠的所述开口之间;
与所述第一发光二极管重叠的第一滤色器;
与所述第二发光二极管重叠的第二滤色器;以及
保护层,包括在所述第一滤色器和所述第二滤色器中的至少一个与所述挡光部分之间的分隔空间中的部分。
7.根据权利要求6所述的电子设备,其中所述保护层的所述部分与所述像素限定层重叠,并且所述保护层和所述像素限定层中的每一个包括透明有机绝缘材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111121480.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的