[发明专利]半导体管芯及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体管芯(1)，具有：

半导体本体(2)，其包括有源区(3)，

金属化(4)，其被形成在半导体本体(2)上，

钝化(20)，其被形成在金属化(4)上，

金属化(4)包括钛层(4.1)、氮化钛层(4.2)和钨层(4.3)中的至少之一，并且钝化(20)包括氧化硅层(20.1)。

2.根据权利要求1所述的半导体管芯(1)，其中在金属化(4)中形成第一导体线路(31)和第二导体线路(32)，第一导体线路(31)和第二导体线路(32)具有最大2μm的横向距离(33)和最大2μm的相应的横向宽度(34.1，34.2)中的至少之一。

3.根据权利要求1或2所述的半导体管芯(1)，其中在金属化(4)中形成第一导体线路(31)和第二导体线路(32)，第一导体线路(31)处在源极电位上，并且第二导体线路(32)处在栅极电位上。

4.根据前述权利要求中的任何一项所述的半导体管芯(1)，其中在金属化(4)中形成多个第一导体线路(31)和多个第二导体线路(32)，第一导体线路(31)和第二导体线路(32)是以交错的梳状结构相继地布置的。

5.根据前述权利要求中的任何一项所述的半导体管芯(1)，其中氧化硅层(20.1)具有最小50 nm的厚度(21.1)。

6.根据前述权利要求中的任何一项所述的半导体管芯(1)，其中氧化硅层(20.1)是由高密度等离子体沉积的氧化硅形成的。

7.根据前述权利要求中的任何一项所述的半导体管芯(1)，其中钝化(20)附加地包括氮化硅层(20.2，20.3)。

8.根据权利要求7所述的半导体管芯(1)，其中钝化(20)包括形成在氧化物层(20.1)下方的第一氮化硅层(20.2)和形成在氧化硅层(20.1)上方的第二氮化硅层(20.3)。

9.根据权利要求7或8所述的半导体管芯(1)，其中氮化硅层或多个层(20.1，20.2，20.3)具有最大为200 nm的相应的厚度(21.2，21.3)。

10.根据前述权利要求中的任何一项所述的半导体管芯(1)，其中绝缘层(40)被布置在半导体本体(2)上，被填充有金属填充物(42)的钠停止部凹槽(41)形成在绝缘层(40)中，并且金属填充物(42)被钝化(20)覆盖。

11.根据前述权利要求中的任何一项所述的半导体管芯(1)，其中导体线路或焊盘结构(35)被形成在金属化(4)中，并且前侧金属接触(50)被形成在上方，导体线路或焊盘结构(35)至少部分地在前侧金属接触(50)下方延伸，其中钝化(20)至少在前侧金属接触(50)的边缘区(48)中被在竖向上布置在导体线路或焊盘结构(35)与前侧金属接触(50)之间。

12.一种用于制造根据权利要求1至11中的任何一项所述的半导体管芯(1)的方法，其中：

-通过沉积(72.1，72.2，72.3)钛材料(4.1)、氮化钛材料(4.2)和钨材料(4.3)中的至少之一来在半导体本体(2)上形成(71)金属化(4)；

-通过沉积氧化硅层(20.1)来在金属化(4)上形成(75)钝化(20)。

13.根据权利要求12所述的方法，其中氧化硅层(20.1)是在高密度等离子体沉积处理中沉积(76.2)的。

14.根据权利要求12或13所述的方法，在金属化(4)上在氧化物层(20.1)下方形成(76.1)第一氮化硅层(20.2)，其中氧化物层(20.1)被结构化(78)并且被用作为(79)用于通过蚀刻(80)来结构化第一氮化硅层(20.2)的硬掩模。

15.根据权利要求1至11中的任何一项所述的管芯(1)的用途，其中在形成于管芯(1)的金属化(4)中的第一导体线路(31)和第二导体线路(32)之间施加最小5V的电位差。