[发明专利]一种氮杂苯并噁唑类或噻唑类化合物及其有机电致发光器件

说明书

本发明提供了一种氮杂苯并噁唑类或噻唑类化合物及其有机电致发光器件，涉及有机光电技术领域。本发明提供的氮杂苯并噁唑类或噻唑类化合物具有高电子迁移率、合适的HOMO及LUMO能级、较高的三线态能级、高折射率，同时，分子具有不对称性、较高的玻璃化转变温度，具有良好的热稳定性及成膜性，将其应用于有机电致发光器件中时，能有效降低有机电致发光器件的驱动电压，提高器件的发光效率，延长器件的使用寿命，本发明所述的化合物在有机电致发光器件中具有良好的应用效果和产业化前景。

技术领域

本发明涉及有机光电技术领域，具体的，涉及一种氮杂苯并噁唑类或噻唑类化合物及其有机电致发光器件。

背景技术

有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)又称为有机电致发光器件(Organic Light-EmittingDevice，OLED)。有机电致发光器件是在电场的作用下，以有机材料为活性发光层的器件。1987年，美国柯达公司(Eastman Kodak)实验室的邓青云博士等人首度利用真空蒸镀的方式制作成第一个有机发光二极管器件，自此OLED开始受到关注且发展迅速。相较于传统的液晶显示(LCD)，OLED具有诸多优势如高亮度、高对比度、高清晰度、宽视角、宽色域、低能耗、超薄超轻、发光效率高、反应时间短、透明、柔性等，是非常理想的新一代平板显示技术。

有机电致发光器件通常为阴极、阳极和有机功能层组成的经典三明治夹层结构，其中有机功能层主要包括：空穴注入层(HIL)，空穴传输层(HTL)，发光层(EML)，电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。此外，在顶发射器件中通常还会在阴极的外侧引入一层覆盖层(CPL)。

作为OLED中的电子传输层，其基本作用是提高电子在器件中的传输效率，同时降低电子在注入过程中的能量壁垒，提高电子的注入效率。对于空穴阻挡层而言，其基本作用是将空穴有效地阻挡在发光层内，实现载流子的最大复合，从而实现OLED的有效发光。对于覆盖层材料，则要求其具有高玻璃转化温度、在可见光范围内有高的薄膜折射率、薄膜中分子取向整齐。

由于有机电致发光器件中空穴传输材料的空穴迁移率与电子传输材料的电子迁移率数量级不一致，导致空穴与电子的传输不能达到有效平衡，部分空穴极易穿过发光层且在发光层与电子传输层界面或者在电子传输层与电子进行复合，导致器件效率降低，部分能量转换为热能，寿命缩短。为了使电子和空穴更好的在发光层形成激子并稳定发光，通常引入空穴阻挡能力强的材料，例如BCP，但其较低的玻璃化转变温度导致薄膜稳定性和耐热性较差，导致器件寿命缩短。此外，现阶段对于覆盖层材料性质不够优良，不能达到最高出光效率。基于以上考量，设计出具有高电子迁移率、具有空穴阻挡能力、高折射率的材料对于有机电致发光器件的发展十分紧要。

发明内容

为了解决上述问题，得到性能优异的有机电致发光器件，本发明开发出一类用于有机电致发光器件的化合物，将其用于有机电致发光器件中可改善器件的性能。

具体而言，本发明提供了一种氮杂苯并噁唑类或噻唑类化合物，所述化合物具有如式I所示的结构：

在式I中，所述A选自式2所示结构：

其中，所述X₁选自O原子、S原子、C(Rx)₂、N(Ry)中的任意一种，所述X₂选自单键或C(Rx)₂；

所述Rx相同或不同的选自氢、氘、氰基、卤素原子、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C12的脂肪族环与C6～C18的芳香族环稠和形成的环中的任意一种；或两个Rx之间可以键合形成取代或未取代的环，所述环上的C原子中的一个或更多个可以被氧、硫、氮原子中的任一者取代，