[发明专利]绝缘体覆硅基板及其制作方法

权利要求书

1.一种绝缘体覆硅基板，包含：

承载基板；

多晶硅捕陷层，形成在该承载基板上；

氧化层，形成在该多晶硅捕陷层上；以及

单晶硅层，直接形成在该氧化层上，其中该单晶硅层与该氧化层之间为接合界面。

2.如权利要求1所述的绝缘体覆硅基板，其中该多晶硅捕陷层为碳掺杂多晶硅捕陷层或未掺杂多晶硅捕陷层。

3.如权利要求1所述的绝缘体覆硅基板，其中该承载基板为硅晶片或玻璃基板。

4.如权利要求1所述的绝缘体覆硅基板，其中该单晶硅层的厚度为

5.如权利要求1所述的绝缘体覆硅基板，其中该多晶硅捕陷层的厚度为

6.如权利要求1所述的绝缘体覆硅基板，其中该TEOS氧化层的厚度为

7.一种绝缘体覆硅基板的制作方法，包含：

在承载基板上形成多晶硅捕陷层；

在该多晶硅捕陷层上形成氧化层；

将块体硅晶片接合在该氧化层上；以及

对该块体硅晶片进行薄化与修边制作工艺，以在该氧化层上形成单晶硅层，其中该单晶硅层与该氧化层之间为接合界面。

8.如权利要求7所述的绝缘体覆硅基板的制作方法，还包含在接合该块体硅晶片前对该TEOS氧化层进行化学机械研磨制作工艺。

9.如权利要求7所述的绝缘体覆硅基板的制作方法，还包含对该多晶硅捕陷层进行碳掺杂制作工艺。

10.如权利要求7所述的绝缘体覆硅基板的制作方法，其中该承载基板为硅晶片或玻璃基板。