[发明专利]具有双功能布线的集成结构和包括这种结构的组件

权利要求书

1.旨在连接多个半导体器件(DS)的集成结构(SI)，该集成结构包括衬底(SB)、第一面(SIS1)和第二面(SIS2)，第一面(SIS1)旨在接收半导体器件(DS)，该集成结构(SI)在第一表面(SIS1)处包括至少一个布线层(1NR)，一个布线层或多个布线层(1NR)包括：

-由非超导体的导体材料制成的至少一个第一导体布线轨道(PC)；和

-由超导体材料制成的至少一个第一超导体布线轨道(PS)。

2.根据权利要求1所述的集成结构，其包括多个布线层，所述多个布线层中的布线层通过相同类型的层间过孔(VI)连接在相同类型的布线轨道之间。

3.根据前述权利要求所述的集成结构(SI)，其中第一布线层仅包括一个或多个超导体布线轨道(PS)。

4.根据前述权利要求之一所述的集成结构(SI)，其包括多个非超导体的导体通孔(VT)，使得能够从集成结构(SI)的第二面(SIS2)连接位于集成结构(SI)第一面(SIS1)上的非超导体的导线布线轨道。

5.包括根据前述权利要求所述的集成结构(SI)和至少一个半导体器件(DS)的组件(AS)，该半导体器件(DS)包括正面(FA)和背面(FR)，该背面(FR)包括至少一个非超导体的导体布线轨道(PC)和超导体布线轨道(PS)，该组件(AS)还包括将集成结构(SI)的非超导体的导体布线轨道(PC)连接到半导体器件(DS)的非超导体的导体布线轨道(CC)的第一连接装置，以及将集成结构(SI)的超导体布线轨道(PS)连接到半导体器件(DS)的超导体布线轨道(CS)的第二连接装置。

6.根据前述权利要求所述的组件(AS)，其中第一连接装置是非超导体的导体凸块，并且第二连接装置是超导体凸块。

7.根据权利要求5所述的组件(AS)，其中所述第一连接装置是由非超导体的导体材料制成的焊盘，并且所述第二连接装置是由超导体材料制成的焊盘。

8.根据权利要求5所述的组件(AS)，其中第一连接装置是焊盘，包括：

-第一层非超导体的导体材料；

-第二层超导体的导体材料；和

-第三层非超导体的导体材料；

并且，其中第二连接装置是在超导体材料中形成的焊盘。

9.在根据权利要求1至4中任一项所述的集成结构(SI)与半导体器件(DS)之间的组装方法，该集成结构在其第一面(SIS1)上包括多个第一非超导体的导体连接焊盘和多个第一超导体连接焊盘，半导体器件包括正面和背面，该背面包括以能够面对多个第一非超导体的导体连接焊盘的方式配置的多个第二非超导体的导体连接焊盘，还包括以能够面对多个第一超导体连接焊盘放置的方式配置的多个第二超导体连接焊盘，所述连接焊盘形成在介电材料层中，该方法包括，在集成结构的第一面和半导体器件的背面实施：

-对存在于集成结构的第一面上和半导体器件的背面上的介电材料层的表面进行化学机械抛光的步骤；

-使集成结构的第一面与半导体器件的背面接触的步骤，使集成结构的连接焊盘对应半导体器件的连接焊盘；

-退火或热压的步骤，以将连接焊盘粘合在一起。

10.根据前述权利要求所述的方法，其包括在化学机械抛光步骤之前：

-选择性蚀刻连接焊盘的步骤，以相对于其中形成连接焊盘的介电材料层的表面形成凹槽；

-沉积超导体材料层的步骤，沉积的层的厚度包括在50nm和100nm之间；

因此，在每个连接焊盘上形成超导体材料层，在退火或热压步骤期间，经由该超导体材料层将连接焊盘粘合在一起。