[发明专利]弯曲晶圆的清洗液及清洗方法

权利要求书

1.弯曲晶圆的清洗液，包括混合液，其特征在于，所述混合液包括硝酸和氢氟酸，还包括催化剂，所述催化剂为硼酸或乙酸；

所述催化剂选用硼酸时，则所述硝酸、所述氢氟酸和所述硼酸的质量配比为6：3：1；

所述催化剂选用乙酸时，则所述硝酸、所述氢氟酸和所述乙酸的质量配比为4：4：2；

所述硝酸的摩尔浓度为55%-65%；

所述氢氟酸的摩尔浓度为48%-49%；

所述硼酸的摩尔浓度为2%-3%；

所述乙酸的摩尔浓度为33%-37%。

2.如权利要求1所述的弯曲晶圆的清洗液，其特征在于，所述硝酸的摩尔浓度为65%。

3.如权利要求1所述的弯曲晶圆的清洗液，其特征在于，所述氢氟酸的摩尔浓度为48.5%。

4.如权利要求1所述的弯曲晶圆的清洗液，其特征在于，所述硼酸的摩尔浓度为2.8%。

5.如权利要求1所述的弯曲晶圆的清洗液，其特征在于，所述乙酸的摩尔浓度为33%。

6.弯曲晶圆的清洗方法，采用权利要求1至5中任意一项所述的清洗液，包括如下步骤：

1）将晶圆经上料区上料；

2）将所述晶圆从上料区置于第一清洗槽内，所述第一清洗槽内含有所述混合液，所述晶圆浸入所述混合液中，在密闭环境下，以第一预设温度保持第一预设时间，对所述晶圆进行刻蚀清洗；

3）将所述晶圆置于第一溢流槽内进行第一次清洗；

4）将所述晶圆置于第二清洗槽内，所述第二清洗槽内含有所述混合液，所述晶圆浸入所述混合液中，在密闭环境下，以第二预设温度保持第二预设时间，对所述晶圆的背面再次进行刻蚀清洗；

5）将所述晶圆置于第二溢流槽内进行第二次清洗；

6）将所述晶圆置于氢氟酸槽，所述氢氟酸槽内含有氢氟酸液，所述晶圆浸入所述氢氟酸液中去除表面的自然氧化膜；

7）将所述晶圆置于第三溢流槽内进行第三次清洗；

8）将所述晶圆经下料区下料，完成所述晶圆的清洗；

在初次刻蚀清洗前，先在所述混合液中滴加催化剂，步骤2）中的所述催化剂选用硼酸，步骤4）中的所述催化剂选用乙酸。

7.如权利要求6所述的弯曲晶圆的清洗方法，其特征在于，步骤2）中，所述第一预设温度为20℃-30℃；

所述第一预设时间为300秒-600秒；

步骤4）中，所述第二预设温度为30℃-35℃；

所述第二预设时间为120秒-180秒。

8.如权利要求7所述的弯曲晶圆的清洗方法，其特征在于，步骤2）中，所述第一预设温度为27℃；

所述第一预设时间为300秒。

9.如权利要求7所述的弯曲晶圆的清洗方法，其特征在于，步骤4）中，所述第二预设温度为33℃；

所述第二预设时间为130秒。

10.如权利要求6所述的弯曲晶圆的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗槽内的所述混合液、所述第二清洗槽内的所述混合液均包括硝酸和氢氟酸。

11.如权利要求10所述的弯曲晶圆的清洗方法，其特征在于，步骤2）中在对所述晶圆第一次刻蚀清洗、步骤4）中在对所述晶圆再次刻蚀清洗时均按批次对所述晶圆进行刻蚀清洗，每批次采用13片所述晶圆同时浸入所述混合液中进行刻蚀清洗；

每刻蚀清洗完10批次所述晶圆后，在下一批次刻蚀清洗前，滴加一次同等质量的所述催化剂。

12.如权利要求6所述的弯曲晶圆的清洗方法，其特征在于，步骤3）、步骤5）和步骤7）中，分别对晶圆进行三次清洗时，均采用超纯水进行清洗。