[发明专利]一种改善底部线宽均匀性的刻蚀方法及装置

权利要求书

1.一种改善底部线宽均匀性的刻蚀方法，其特征在于，对曝光后的待刻蚀半导体基底进行刻蚀处理，所述待刻蚀半导体基底由上至下包括光阻层、抗反射层、TiN层、Al层、Ti层和氧化物层，刻蚀的过程包括：

响应用户发送的刻蚀指令，控制第一混合气体输入反应腔室，对所述待刻蚀半导体基底的抗反射层进行刻蚀；

在抗反射层刻蚀完成之后，控制第二混合气体输入反应腔室，对所述待刻蚀半导体基底的TiN层进行刻蚀；

在TiN层刻蚀完成之后，控制第三混合气体输入反应腔室，并将电流比例在0.2～0.8之间进行调节，对所述待刻蚀半导体基底的Al层进行刻蚀，所述第三混合气体中包括N₂和CH₄，且N₂和CH₄的气体比例处于1/4～1/3之间，所述电流比例为边缘电流与总电流的比值；

在Al层刻蚀完成之后，控制第四混合气体输入反应腔室，对所述待刻蚀半导体基底的Ti层和氧化物层进行刻蚀处理。

2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第三混合气体中还包括：BCl₃和Cl₂。

3.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一混合气体包括：Cl₂和O₂。

4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述控制第四混合气体输入反应腔室，对所述待刻蚀半导体基底的Ti层和氧化物层进行刻蚀处理，包括：

控制第四混合气体输入反应腔室；

调节反应腔室中的电流比例和偏置电压，对所述待刻蚀半导体基底的Ti层和氧化物层进行刻蚀处理。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的刻蚀方法，其特征在于，在响应用户发送的刻蚀指令，控制第一混合气体输入反应腔室，对所述待刻蚀半导体基底的抗反射层进行刻蚀之前，还包括：

控制Cl₂和O₂输入反应腔室，用于清除反应腔室内部残留的材料。

6.根据权利要求1-4任意一项所述的刻蚀方法，其特征在于，在控制第四混合气体输入反应腔室，对所述待刻蚀半导体基底的Ti层和氧化物层进行刻蚀处理之后，还包括：

去除所述待刻蚀半导体基底上方的光阻层和抗反射层。

7.根据权利要求1-4任意一项所述的刻蚀方法，其特征在于，在控制第四混合气体输入反应腔室，对所述待刻蚀半导体基底的Ti层和氧化物层进行刻蚀处理之后，还包括：

控制O₂输入反应腔室，在待刻蚀半导体基底表面形成氧化膜，用于阻碍残留物腐蚀刻蚀后的半导体基底。

8.一种改善底部线宽均匀性的刻蚀装置，其特征在于，用于对曝光后的待刻蚀半导体基底进行刻蚀处理，所述待刻蚀半导体基底由上至下包括光阻层、抗反射层、TiN层、Al层、Ti层和氧化物层，装置包括：

抗反射层刻蚀模块，用于响应用户发送的刻蚀指令，控制第一混合气体输入反应腔室，对所述待刻蚀半导体基底的抗反射层进行刻蚀；

TiN层刻蚀模块，用于在抗反射层刻蚀完成之后，控制第二混合气体输入反应腔室，对所述待刻蚀半导体基底的TiN层进行刻蚀；

Al层刻蚀模块，用于在TiN层刻蚀完成之后，控制第三混合气体输入反应腔室，并将电流比例在0.2～0.8之间进行调节，对所述待刻蚀半导体基底的Al层进行刻蚀，所述第三混合气体中包括N₂和CH₄，且N₂和CH₄的气体比例处于1/4～1/3之间，所述电流比例为边缘电流与总电流的比值；

Ti层和氧化物层刻蚀模块，用于在Al层刻蚀完成之后，控制第四混合气体输入反应腔室，对所述待刻蚀半导体基底的Ti层和氧化物层进行刻蚀处理。