[发明专利]纳米颗粒及纳米薄膜、量子点发光二极管和显示装置在审
申请号: | 202111112795.1 | 申请日: | 2021-09-18 |
公开(公告)号: | CN115915802A | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
发明(设计)人: | 李龙基 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H10K50/115 | 分类号: | H10K50/115;H10K85/50;C09D1/00;H10K71/00 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 邓敬威 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 颗粒 薄膜 量子 发光二极管 显示装置 | ||
1.一种纳米颗粒,其特征在于,包括金属氧化物纳米颗粒和三氟甲磺酸衍生物,所述金属氧化物纳米颗粒与所述三氟甲磺酸衍生物通过配位键相连。
2.根据权利要求1所述的纳米颗粒,其特征在于,所述配位键的中心原子为所述金属氧化物的金属元素,配体为所述三氟甲磺酸衍生物的三氟甲磺酸根上的至少一氧原子。
3.根据权利要求1所述的纳米颗粒,其特征在于,所述三氟甲磺酸衍生物包括三氟甲磺酸、三氟甲磺酸甲酯、三氟甲磺酸酐、三氟甲磺酰胺中的一种。
4.根据权利要求1所述的纳米颗粒,其特征在于,所述金属氧化物纳米颗粒包括ZnO、ZnMgO、AlZnO、ZnSnO、InSnO、TiO2、Fe2O3、SnO2、Ta2O3中的一种。
5.根据权利要求1所述的纳米颗粒,其特征在于,所述金属氧化物纳米颗粒的粒径范围为5~12nm。
6.一种纳米颗粒的制备方法,其特征在于,包括:将金属氧化物纳米颗粒与三氟甲磺酸衍生物混合,反应后得到所述纳米颗粒。
7.根据权利要求6所述的纳米颗粒的制备方法,其特征在于,所述金属氧化物纳米颗粒与所述三氟甲磺酸衍生物混合于溶剂中,所述溶剂包括乙醇或二甲基亚砜中的至少一种。
8.根据权利要求6所述的纳米颗粒的制备方法,其特征在于,所述三氟甲磺酸衍生物和所述金属氧化物纳米颗粒的质量比为1:30~3:10。
9.一种纳米薄膜,其特征在于,所述纳米薄膜包括金属氧化物纳米颗粒和三氟甲磺酸衍生物,所述金属氧化物纳米颗粒至少部分负载有所述三氟甲磺酸衍生物。
10.根据权利要求9所述的纳米薄膜,其特征在于,所述金属氧化物纳米颗粒与所述三氟甲磺酸衍生物通过配位键相连。
11.一种量子点发光二极管,包括阳极、阴极和设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层,其特征在于,所述阴极和所述量子点发光层之间还设置有电子传输层,所述电子传输层的材料包括权利要求9~10中任一项所述的纳米薄膜。
12.根据权利要求11所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述电子传输层的厚度为10~60nm。
13.根据权利要求11所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述量子点发光层的量子点材料选自CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、CuInS或CuInSe中的一种或多种组合。
14.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求11~13中任一项所述的量子点发光二极管。
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