[发明专利]基于Fanout技术的侵彻测量用加速度值记录装置

权利要求书

1.基于Fanout技术制造侵彻测量用加速度值记录装置，包括以下组成部分：

1）、金属管壳（1）及其盖板（2），金属管壳中设有基板（14）将金属管壳内腔分为两个空间；

2）.基于Fanout技术，将放大器裸芯片（4）、滤波器裸芯片、处理器裸芯片（6）、电源管理电路裸芯片、存储器裸芯片，通过多芯片集成工艺集成在塑封成型体（7）内形成处理电路，处理电路一侧的布线层（3）裸露在塑封成型体的一侧面，布线层中相应的连线通过对应的BGA球（5）引出，并与基板上相对盖板一面上的线路对应连接；

3）.MEMS加速度计（11）通过倒装方式粘接在基板（14）上相对管壳底部的一面上，并通过BGA球（5）将MEMS加速度计与基板上该面的线路进行连接；

4）.基板两面BGA球焊接部位的空间采用填充材料（13）进行底部填充；

5）.粘接在基板（14）上的MEMS加速度计另一面使用绝缘胶（12）粘接至管壳（1）底部；

6）.基板有MEMS加速度计芯片的一侧与管壳底部之间采用硬胶（10）保护灌封，使MEMS加速度计感受加速度；

7）. 基板另一面有处理电路一测与盖板之间用软胶（8）保护灌封，对处理电路起到缓冲保护作用；

8）.管壳（1）及盖板（2）平行封焊形成基于Fanout技术制造侵彻测量用加速度值记录装置。

2.根据权利要求1所述的基于Fanout技术制造侵彻测量用加速度值记录装置的制备方法，包括以下步骤：

1）.载板（20）选择SOI型硅片，减薄至100微米，用于承载放大器裸芯片、滤波器裸芯片、处理器裸芯片、电源管理电路裸芯片、存储器裸芯片，在载板（20）上涂敷双面粘接剂（21），然后涂敷光刻胶（22）；

2）.利用光刻机对光刻胶（22）刻制一系列开槽（23），将各裸芯片（24）分别粘接在对应的开槽（23）内，裸芯片功能面朝着载板（20）方向；裸芯片（24）包括放大器裸芯片、滤波器裸芯片、处理器裸芯片、电源管理电路裸芯片、存储器裸芯片；

3）.将贴有裸芯片的载板进行塑封成型，将光刻胶（22）及各裸芯片（24）封装在塑封成型体（7）内，然后从另一面剥离载板（20）；

4）.依据放大器裸芯片、滤波器裸芯片、处理器裸芯片、电源管理电路裸芯片、存储器裸芯片这5个裸芯片上各个PAD位置，从双面粘胶（21）侧使用激光无损切割机激光开制一系列开孔（26），然后使用RDL技术通过对应的开孔（26）对每个裸芯片进行布设连线（27）并形成布线层（3），最后在布线层中开设一系列植球孔（28），每个植球孔（28）中设有BGA球（5）与对应的连线（27）连接，形成处理电路；

5）.对处理电路和MEMS进行组装，包括以下步骤：

（1）、金属管壳（1）中设置基板（14）将金属管壳内腔分为两个空间；

（2）.处理电路一侧的布线层（3）通过对应的BGA球（5）引出并与基板上的线路对应连接；

（3）.MEMS加速度计（11）通过倒装方式粘接在基板（14）另一面上，并通过BGA球（5）将MEMS加速度计与基板上的线路进行连接；

（4）.通过Fanout形成与处理电路相关的电阻电容、线缆焊接在基板（14）上；

（5）.基板两面BGA焊接部位的空间采用填充材料（13）进行底部填充；

（6）.粘接在基板（14）上的MEMS加速度计另一面使用绝缘胶（12）粘接至管壳底部；

（7）.基板有MEMS加速度计芯片的一侧与管壳底部之间采用硬胶（10）保护灌封，感受加速度；

基板另一面有处理电路一测与盖板之间用软胶（8）保护灌封，起到缓冲作用；

（9）.管壳（1）及盖板（2）采用平行封焊形成基于Fanout技术制造侵彻测量用加速度值记录装置。