[发明专利]制备QLED器件的方法、QLED器件及显示装置

权利要求书

1.一种制备QLED器件的方法，其特征在于，包括：

提供基板，

在所述基板的一侧形成图案化层，

在所述图案化层远离所述基板的一侧形成发光层，

自所述发光层远离所述图案化层的一侧，对所述基板上的预设区域进行光照处理，令所述预设区域内的所述图案化层的溶解性发生改变，

去除所述基板上非预设区域或所述预设区域内的所述图案化层和所述发光层，以获得所述QLED器件，

其中，形成所述图案化层的材料为小分子交联材料或聚合物分解材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基板的一侧形成所述图案化层之前，进一步包括：在所述基板的一侧形成电子传输层，在所述电子传输层远离基板的一侧形成所述图案化层。

3.根据利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述QLED器件的步骤包括形成第一颜色QLED器件、第二颜色QLED器件、第三颜色QLED器件的步骤，所述方法进一步包括：

在所述基板一侧形成第一图案化层，

在所述第一图案化层远离所述基板的一侧形成第一颜色发光层，

自所述第一颜色发光层远离所述第一图案化层的一侧，对所述基板上的第一预设区域进行光照处理，令所述第一预设区域内的所述第一图案化层的溶解性发生改变，

去除所述基板上所述第一非预设区域内的所述第一图案化层和所述第一颜色发光层，以获得所述第一颜色QLED器件；

在所述基板一侧形成第二图案化层，所述第二图案化层覆盖所述第一颜色QLED器件和所述第一非预设区域，

在第二图案化层远离所述基板的一侧形成第二颜色发光层，

自所述第二颜色发光层远离所述第二图案化层的一侧，对所述基板上的第二预设区域进行光照处理，令所述第二预设区域内的所述第二图案化层的溶解性发生改变，

去除所述基板上所述第二非预设区域内的所述第二图案化层和所述第二颜色发光层，以获得所述第二颜色QLED器件；

在所述基板一侧形成第三图案化层，所述第三图案化层覆盖所述第一颜色QLED器件、和所述第一非预设区域，

在第三图案化层远离所述基板的一侧形成第三颜色发光层，

自所述第三颜色发光层远离所述第三图案化层的一侧，对所述基板上的第三预设区域进行光照处理，令所述第三预设区域内的所述第三图案化层的溶解性发生改变，

去除所述基板上所述第三非预设区域内的所述第三图案化层和所述第三颜色发光层，以获得所述第三颜色QLED器件；

其中，所述第一颜色QLED器件在所述基板上的正投影、所述第二颜色QLED器件在所述基板上的正投影和所述第三颜色QLED器件在所述基板上的正投影没有重叠区域，且形成所述第一图案化层、所述第二图案化层和所述第三图案化层的材料均为所述小分子交联材料。