[发明专利]一种二维半导体共轭高分子材料及其制备与在超快激光防护中的应用有效
申请号: | 202111108591.0 | 申请日: | 2021-09-22 |
公开(公告)号: | CN113698602B | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 张弛;刘芳;伏露露 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | C08G73/10 | 分类号: | C08G73/10;G02F1/361 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 刘燕武 |
地址: | 200092 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 二维 半导体 共轭 高分子材料 及其 制备 激光 防护 中的 应用 | ||
1.一种二维半导体共轭高分子材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)称取氮源、无机氯化物、酸酐、催化剂和封端剂混合均匀,得到混合物原料;
(2)取混合物原料置于空气氛围下煅烧,得到粗产物;
(3)所得粗产物洗涤、过滤后,再进行机械剥离,剥离所得产物继续抽滤,即得到目的产物二维半导体共轭高分子材料;
所述的氮源为尿素;
所述的酸酐为均苯四甲酸二酐;
所述的封端剂为邻苯二甲酸酐。
2.根据权利要求1所述的一种二维半导体共轭高分子材料的制备方法,其特征在于,氮源、无机氯化物、酸酐、催化剂和封端剂的质量比为(1~20):(0.5~5):(0.5~6):(0.005~1):(0.5~2)。
3.根据权利要求1所述的一种二维半导体共轭高分子材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,混合过程具体为:在研钵中研磨5~30min。
4.根据权利要求1所述的一种二维半导体共轭高分子材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,煅烧的温度为200~800℃,时间为0.5~5h。
5.根据权利要求1所述的一种二维半导体共轭高分子材料的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,洗涤、过滤过程具体为:采用有机溶剂与蒸馏水反复清洗并过滤,直至滤液呈无色;
所用有机溶剂选自甲醇、乙醇、二氯甲烷、二甲亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、1,4-二氧六环、四氢呋喃、石油醚或N-甲基吡咯烷酮中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的一种二维半导体共轭高分子材料的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,机械剥离过程具体为:取洗涤、过滤后的粗产物分散于溶剂中,再球磨处理,即完成,其中,所用溶剂为蒸馏水、甲醇或乙醇中的一种。
7.一种二维半导体共轭高分子材料,其采用如权利要求1-6任一所述的制备方法制备得到,其特征在于,该二维半导体共轭高分子材料的厚度为2-50nm,比表面积为10-300m2/g,孔容积率为0.003-1.50cm3/g。
8.如权利要求7所述的一种二维半导体共轭高分子材料的应用,其特征在于,该二维半导体共轭高分子材料用于超快激光防护。
9.根据权利要求8所述的一种二维半导体共轭高分子材料的应用,其特征在于,二维半导体共轭高分子材料在超快激光防护应用过程中,所适用超快激光的通讯波段为1300~1500nm。
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